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Transistors TSM2NB60CP TO-252 Acheter des composants électroniques en ligne Original

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Référence fabricant

TSM2NB60CP

Marque nom

Original

Description

600 V, 2 A, MOSFET de puissance à canal N simple

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252 (DPAK)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TSM2NB60CP
Marque nom
Original
Description
600 V, 2 A, MOSFET de puissance à canal N simple
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252 (DPAK)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,4 ohms à 1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9,4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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