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Transistors TW045N120C,S1F TO-247 Composants Électroniques Originaux Service Complet

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17,84 €
100-3 099 pièce
8,93 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

TW045N120C,S1F

Marque nom

Original

Description

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TW045N120C,S1F
Marque nom
Original
Description
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247
Température de fonctionnement
175°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
40A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
59 mOhms à 20 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V à 6,7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF à 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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