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Transistors X1-DFN1616-6 DMN2020UFCL-7 Composants électroniques originaux

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100-3 099 pièce
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Référence fabricant

DMN2020UFCL-7

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

Point d'origine

China

Package/Boîte

X1-DFN1616-6 (Type E)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN2020UFCL-7
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Point d'origine
China
Package/Boîte
X1-DFN1616-6 (Type E)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
9A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
14 mOhms à 9 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21,5 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1788 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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