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Transistors X2-DFN1006-3 DMN32D2LFB4-7 Acheter en ligne Composants électroniques Originaux

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DMN32D2LFB4-7

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

X2-DFN1006-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN32D2LFB4-7
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
X2-DFN1006-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
300mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,2 ohms à 100 mA, 4 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
39 pF @ 3 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4 V
Vgs (Max)
±10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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