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W25Q16JVSNIQ, Nouveau Original, Mémoire, CI, composants électroniques

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Caractéristiques du produit

Marque nom
original
Numéro de Type
W25Q16JVSNIQ,W25Q16JVSSIQ, W25Q64JVSSIQ,W25Q128JVSIQ, W25Q32JVSSIQ, W25Q256JVEIQ, W25Q128FVSIG, W25Q128JVPIQ
Type
-
Type de montage
SMT, le SMT
Code Date de fabrication
AUCUN
Débit de données
-
Taille de La mémoire
16 Mo-256 Mo
Point d'origine
Seoul, South Korea
Description
MÉMOIRE FLASH SÉRIE 3V
Type de conditionnement
Plateau/ruban sur bobine
Fonction
MÉMOIRE FLASH SÉRIE 3V AVEC DOUBLE/QUAD SPI
Application
IoT, Communication, Robots, Aérospatiale
Température de fonctionnement
-40°-85°, -40°-105°
Package/Boîte
SOIC-8 150 mil, SOIC-8 208 mil, SOIC-16 300 mil, TFBGA 8*6, WLCSP 24 billes, WSON8
Série
Mémoire, FLASH, SPI
Caractéristiques
Éclair
Référence croisée
AUCUN
Chimie de la batterie
-
Type de mémoire
NI Flash
Interface de mémoire
-
Courant-approvisionnement (Max)
3,6 V
Technologie
-
Tension D'alimentation
2,7 V-3,6 V
Type d'expansion
-
Bus directionnel
AUCUN
Fréquence de l'horloge
532 MHz
Organisation de la mémoire
32X8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Quantité minimale : 1 unité
0,242-1,82 €

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