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Composants de mémoire W25Q32FVDAIQ TR 8 DIP, fabricant de composants électroniques, canal

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Attributs

FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
4Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:50 µs, 3 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI

Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
50 µs, 3 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3 099 pièce
0,5138 €
>= 3 100 pièce
0,2569 €

Spécification

W25Q32FVDAIQTR

Expédition

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