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W29N01HVSINA 1 Go SLC NAND Flash Interface parallèle 2,7 V-3,6 V Mémoire intégrée industrielle 48-TSOP IC

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Code de date de fabrication

2025 et plus

Caractéristiques

Marque nom

original

Référence fabricant

W29N01HVSINA

Type

Circuit intégré de mémoire flash

Point d'origine

Guangdong, China

Description

1 Go de mémoire flash NAND SLC 128 Mo

Type de conditionnement

SMD

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Caractéristiques du produit

Marque nom
original
Référence fabricant
W29N01HVSINA
Type
Circuit intégré de mémoire flash
Point d'origine
Guangdong, China
Description
1 Go de mémoire flash NAND SLC 128 Mo
Type de conditionnement
SMD
Package/Boîte
TSOPI-48
Type de mémoire
autre
Interface de mémoire
autre
Technologie
autre
Type d'expansion
autre
Organisation de la mémoire
autre

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