Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR3 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:HSUL12
