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W66CQ2NQQAGJ 200 TFBGA Mémoire Acheter des composants électroniques en ligne Original

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Spécification

W66CQ2NQQAG

Caractéristiques

Type

Composant et pièce

Taille de La mémoire

4Gbits

Point d'origine

China

Type de conditionnement

Plateau

Application

Mémoire

Caractéristiques

Kit de circuits intégrés

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Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL11

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs