Composant électronique TR original W947D2HKZ-6G Mémoire
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Attributs
SDRAM - LPDDR mobileTechnologie
-Type de mémoire
4M32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR mobile
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
4M32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,521 €
≥ 3 100 pièce
0,2605 €
Options
SélectionnerSpécification
W947D2HKZ 6G TRAITEMENT
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