Circuit intégré IC Transistors Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC SI4532CDY-T1-GE3
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Attributs
MOSFETType
MOSFETApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de montage
StandardFET Caractéristique
Non applicableConfiguration
Médias Disponibles:Fiche technique
Type de Fournisseur:Détaillant, ODM, Autre
Puissance Max:2.78W
Package/Boîte:8-SOIC
Description:30V 6A, 4.3A 2.78W Montage en surface 8-SOIC
Référence fabricant:SI4532CDY-T1-GE3
Marque nom:New
Point d'origine:Guangdong, China
Température de fonctionnement:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série:MOSFET
Code date de fabrication:Nouveau
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):30V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant-coupure de collecteur (Max):2.78W
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:47mOhm @ 3.5A, 10V
Fréquence-Transition:NA
Résistance-socle (R1):Na
Résistance-socle émetteur (R2):Na
FET Type:MOSFET
Vidange à la tension de la Source (Vdss):305pF @ 15V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:3V @ 250uA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:47mOhm @ 3.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:47mOhm @ 3.5A, 10V
Fréquence:47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant nominal (ampères):2.78W
Facteur de bruit:NA
Alimentation-Sortie:47mOhm @ 3.5A, 10V
Tension Nominale:N et P-Channel
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):NA
Vgs (Max):47mOhm @ 3.5A, 10V
Type IGBT:N et P-Channel
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:NA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:NA
Entrée:NA
Thermistance NTC:NA
Tension-panne (V (BR) GSS):NA
Vidange de courant (Id)-Max:NA
Tension-coupure (VGS off) @ Id:NA
Résistance-RDS (On):NA
Tension-Sortie:NA
Tension-décalage (Vt):NA
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):NA
Courant-vallée (Iv):NA
Courant-Crête:NA
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
MOSFET
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
Montage en Surface
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Non applicable
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Détaillant, ODM, Autre
Puissance Max
2.78W
Package/Boîte
8-SOIC
Description
30V 6A, 4.3A 2.78W Montage en surface 8-SOIC
Référence fabricant
SI4532CDY-T1-GE3
Marque nom
New
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
MOSFET
Code date de fabrication
Nouveau
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
30V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant-coupure de collecteur (Max)
2.78W
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
47mOhm @ 3.5A, 10V
Fréquence-Transition
NA
Résistance-socle (R1)
Na
Résistance-socle émetteur (R2)
Na
FET Type
MOSFET
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
305pF @ 15V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3V @ 250uA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
47mOhm @ 3.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
47mOhm @ 3.5A, 10V
Fréquence
47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant nominal (ampères)
2.78W
Facteur de bruit
NA
Alimentation-Sortie
47mOhm @ 3.5A, 10V
Tension Nominale
N et P-Channel
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
NA
Vgs (Max)
47mOhm @ 3.5A, 10V
Type IGBT
N et P-Channel
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
NA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
NA
Entrée
NA
Thermistance NTC
NA
Tension-panne (V (BR) GSS)
NA
Vidange de courant (Id)-Max
NA
Tension-coupure (VGS off) @ Id
NA
Résistance-RDS (On)
NA
Tension-Sortie
NA
Tension-décalage (Vt)
NA
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
NA
Courant-vallée (Iv)
NA
Courant-Crête
NA
Type de montage
Montage en Surface
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