Attributs
SI4532CDY-T1-GE3Numéro de Type
MOSFETType
NewMarque nom
Montage en SurfaceType de paquet
30V 6A, 4.3A 2.78W Montage en surface 8-SOICDescription
Guangdong, ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:8-SOIC
Température de fonctionnement:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série:MOSFET
d/c:Nouveau
Application:MOSFET
Type de Fournisseur:Détaillant, ODM, Autre
Médias Disponibles:Fiche technique
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):30V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant-coupure de collecteur (Max):2.78W
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:47mOhm @ 3.5A, 10V
Puissance Max:2.78W
Fréquence-Transition:NA
Type de Support:Montage en Surface
Résistance-socle (R1):Na
Résistance-socle émetteur (R2):Na
FET Type:MOSFET
FET Caractéristique:Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):305pF @ 15V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:3V @ 250uA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:47mOhm @ 3.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:47mOhm @ 3.5A, 10V
Fréquence:47mOhm @ 3.5A, 10V
Courant nominal (ampères):2.78W
Facteur de bruit:NA
Alimentation-Sortie:47mOhm @ 3.5A, 10V
Tension Nominale:N et P-Channel
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):NA
Vgs (Max):47mOhm @ 3.5A, 10V
Type IGBT:N et P-Channel
Configuration:Non applicable
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:NA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:NA
Entrée:NA
Thermistance NTC:NA
Tension-panne (V (BR) GSS):NA
Vidange de courant (Id)-Max:NA
Tension-coupure (VGS off) @ Id:NA
Résistance-RDS (On):NA
Tension-Sortie:NA
Tension-décalage (Vt):NA
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):NA
Courant-vallée (Iv):NA
Courant-Crête:NA
Type de montage:Montage en Surface
