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Chip dram

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Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 1

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 2

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 3

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 4

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 5

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original - Product Image 6

Circuit intégré DRAM asynchrone UPD424260-60 | Puce mémoire industrielle 1M-4bit 60ns DIP-18 | Original

1,04-4,15 €

Commande minimum: 1 pièce

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 1

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 2

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 3

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 4

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 5

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 6

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16

Commande minimum: 1 pièce

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 1

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 2

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 3

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 4

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 5

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente - Product Image 6

UT8R128K32 Module de mémoire intégré industriel à grande vitesse Composant de puce DRAM pour systèmes informatiques avancés et électronique intelligente

38,87 €

Commande minimum: 1 unité

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 1

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 2

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 3

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 4

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 5

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC - Product Image 6

Composants électroniques ANSOYO MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA 0CK17 D9PSS DRAM 78FBGA Circuits intégrés de mémoire IC

1,73-2,60 €

Commande minimum: 10 pièces

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 1

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 2

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 3

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 4

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 5

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung - Product Image 6

Puce mémoire DRAM K4A8G045WD-BCWE DDR4-3200MHz 2Gx4 (8 Go) pour Samsung

1,73-2,60 €

Commande minimum: 1 000 pièces

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 1

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 2

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 3

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 4

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 5

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve - Product Image 6

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré de FBGA-200 de K4UBE3D4AA-MGCR originale et neuve

11,93-35,28 €

Commande minimum: 1 pièce

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 1

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 2

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 3

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 4

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 5

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité - Product Image 6

Mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM) de puce de circuit intégré K3LKBKB0BM-MGCP de haute qualité

22,05-63,36 €

Commande minimum: 1 pièce

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 1

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 2

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 3

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 4

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 5

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale - Product Image 6

Mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) de puce d'IC de circuit intégré H5GC8H24AJR-R2C nouvelle et originale

10,92-32,30 €

Commande minimum: 1 pièce