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Inverseur transistor

(999+ produits disponibles)

Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2 - Product Image 1
Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2 - Product Image 2
Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2 - Product Image 3
Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2 - Product Image 4
Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2 - Product Image 5

Variateur de fréquence industriel Toshiba Transistor Inverter VYNC3C-4007P 0,75 kW 1,8 kVA P2

1 488,11 €
quantité minimum: 50 pièces
MCGUIRE TRADING INC
1 yrsUS flagUS
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 1
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 2
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 3
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 4
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 5
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 6

Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours

25,75 €
quantité minimum: 1 acre
AVORA NON-SPECIALIZED WHOLESALE TRADING
1 yrsPH flagPH
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 1
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 2
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 3
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 4
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 5
Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321 - Product Image 6

Transistor IGBT Icschip, Inverseur IGBT, Transistor Bipolaire à Porte Isolée (IGBT), 1000V 60A 170W, Montage traversant TO-3P(LH) GT60N321

0,8879-1,78 €
quantité minimum: 1 pièce
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(5)
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 1
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 2
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 3
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 4
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 5
Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 6

Transistors IGBT de haute qualité K60T60 60T60 60T65 TO-247 60A 600V pour onduleurs de soudeuses, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T

0,7548-0,8169 €
quantité minimum: 20 paires
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(21)
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 1
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 2
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 3
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 4
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 5
Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock - Product Image 6

Module FP75R06KE3BOSA1 IGBT 600V 95A 250W Three Phase Inverter Electronic Transistors in Stock

20,11-40,20 €
quantité minimum: 100 pièces
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 1
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 2
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 3
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 4
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 5
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 6

Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur

0,4884-0,6216 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(21)
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 1
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 2
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 3
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 4
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 5
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 6

Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A

0,1332-0,1421 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(21)
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 1
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 2
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 3
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 4
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 5
SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount - Product Image 6

SP3 APTGF90H60T3G IGBT Transistor Module 600V 120A 416W Full Bridge Inverter Chassis Mount

10,43-20,84 €
quantité minimum: 100 pièces
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK