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Inverseur transistor

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Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 1
Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 2
Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 3
Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 4
Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 5
Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T - Product Image 6

Transistor IGBT K75T60 de haute qualité 600V 80A 428W TO-247 75A/600V pour onduleur de soudage, transistors TO247-3 K75T60 IKW75N60T

3,35-3,71 €
quantité minimum: 10 pièces
SOUTHERN ELECTRONICS TECH LIMITED
2 yrsHK flagHK4.9/5.0(29)
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 1
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 2
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 3
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 4
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 5
Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon) - Product Image 6

Module de transistor IGBT haute puissance CM400DY-24 240V 400A pour mémoire de données, onduleur solaire, machine à souder, automatisation industrielle (Japon)

1 186,23-1 782,32 €
quantité minimum: 1 unité
Mingcheng Industrial Automation
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 1
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 2
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 3
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 4
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 5
Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours - Product Image 6

Équipement électrique, transistor IGBT, module d'onduleur FS300R17KE3/AGDR-66C, Allemagne, garantie de 180 jours

25,55 €
quantité minimum: 1 acre
AVORA NON-SPECIALIZED WHOLESALE TRADING
1 yrsPH flagPH
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 1
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 2
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 3
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 4
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 5
Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur - Product Image 6

Transistor IGBT CRG40T60AN3H G40T60AN3H 40T60 CRG60T60AN3H G60T60AN3H 60T60 TO-3P 600V pour onduleur

0,4846-0,6168 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(5)
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 1
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 2
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 3
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 4
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 5
Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 6

Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T

0,6168-0,7049 €
quantité minimum: 25 paires
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(5)
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 1
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 2
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 3
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 4
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 5
Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A - Product Image 6

Transistor à effet de champ IRF3710 IRF3710PBF, transducteur MOS 100V/57A

0,1322-0,141 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(5)
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 1
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 2
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 3
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 4
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 5
Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire - Product Image 6

Module IGBT MBM250H33E3 1700V 800A, configuration triple, montage par vis/soudure, transistor de qualité industrielle pour onduleur, soudeuse, solaire

535,67 €
quantité minimum: 1 unité
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(22)
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 1
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 2
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 3
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 4
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 5
Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET - Product Image 6

Transistor MOS à effet de champ Jekevi FHA150N06 150N06 TO-3P, neuf et original, pour onduleur, 150A60V MOSFET

0,3084 €
quantité minimum: 10 pièces
Jekevi Electronics Limited
1 yrsHK flagHK