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Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNG 1000X170300 IGBT LinPak Module Type de plaquette de silicium - Product Image 1
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Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0600R120501 Module IGBT Silicium Ultra-Robuste Trench IGBT Silicon Wafer - Product Image 1
Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0600R120501 Module IGBT Silicium Ultra-Robuste Trench IGBT Silicon Wafer - Product Image 2
Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0600R120501 Module IGBT Silicium Ultra-Robuste Trench IGBT Silicon Wafer - Product Image 3
Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0600R120501 Module IGBT Silicium Ultra-Robuste Trench IGBT Silicon Wafer - Product Image 4
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Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB original, semi-conducteur PCT 5STP 18H4200, matériau en plaquette de silicium - Product Image 1
Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB original, semi-conducteur PCT 5STP 18H4200, matériau en plaquette de silicium - Product Image 2
Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB original, semi-conducteur PCT 5STP 18H4200, matériau en plaquette de silicium - Product Image 3
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Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur PCT 5STP 07D1800, matériau en plaquette de silicium - Product Image 1
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