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Substrat céramique DBC fiable à constante diélectrique élevée, plaquette de nitrure d'aluminium à conductivité thermique de 170 W/mK pour antennes - Product Image 1

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Substrat céramique DBC fiable à constante diélectrique élevée, plaquette de nitrure d'aluminium à conductivité thermique de 170 W/mK pour antennes

0,8643-5,19 €

MOQ: 1

Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product - Product Image 1

Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product - Product Image 2

Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product - Product Image 3

Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product - Product Image 4

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Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product - Product Image 6

Nouveau Original Hitachi Energy ABB 5SDD 11D2800 Diodes de redressement Standard Silicon Wafer Type ABB Semiconductors Product

86 425,70 €

MOQ: 1

WAFER-WTB4.2-22PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=4.2mm 2x11P 4.2mm Right Angle Insert Mini-Fit (MX 4.2) - Product Image 1

WAFER-WTB4.2-22PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=4.2mm 2x11P 4.2mm Right Angle Insert Mini-Fit (MX 4.2) - Product Image 2

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WAFER-WTB4.2-22PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=4.2mm 2x11P 4.2mm Right Angle Insert Mini-Fit (MX 4.2) - Product Image 4

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WAFER-WTB4.2-22PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=4.2mm 2x11P 4.2mm Right Angle Insert Mini-Fit (MX 4.2) - Product Image 6

WAFER-WTB4.2-22PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=4.2mm 2x11P 4.2mm Right Angle Insert Mini-Fit (MX 4.2)

0,4322-1,65 €

MOQ: 1

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 1

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 2

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 3

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 4

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 5

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 6

WAFER-HY2.0-3PWZ-Y62 Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x3P 2mm Right Angle Insert HY

0,0173-0,0778 €

MOQ: 20

WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 1

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WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 3

WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 4

WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 5

WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY - Product Image 6

WAFER-HY2.0-4PWZ Wire-to-Board Pin Header Bent Lead Through Hole,P=2mm Connector 1x4P 2mm Right Angle Insert HY

0,0173-0,0778 €

MOQ: 20

Nouveau module IGBT unique HiPak 5SNA 1500E330305 d'origine Hitachi Energy ABB, produit semi-conducteur avec matériau en plaquette de silicium - Product Image 1

Nouveau module IGBT unique HiPak 5SNA 1500E330305 d'origine Hitachi Energy ABB, produit semi-conducteur avec matériau en plaquette de silicium - Product Image 2

Nouveau module IGBT unique HiPak 5SNA 1500E330305 d'origine Hitachi Energy ABB, produit semi-conducteur avec matériau en plaquette de silicium - Product Image 3

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Nouveau module IGBT unique HiPak 5SNA 1500E330305 d'origine Hitachi Energy ABB, produit semi-conducteur avec matériau en plaquette de silicium - Product Image 6

Nouveau module IGBT unique HiPak 5SNA 1500E330305 d'origine Hitachi Energy ABB, produit semi-conducteur avec matériau en plaquette de silicium

86 425,70 €

MOQ: 3

Authentic Factory-New WAFER-SHB1.0-10PWB SMD Electronic Components Integrated Circuits IC Chips CZSKU:X1H6T8F5 - Product Image 1

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Authentic Factory-New WAFER-SHB1.0-10PWB SMD Electronic Components Integrated Circuits IC Chips CZSKU:X1H6T8F5

0,1003-0,7096 €

MOQ: 10

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 1

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 2

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 3

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 4

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 5

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium - Product Image 6

Nouveau module IGBT à semi-conducteurs de puissance Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K451300, paquet standard, 4500V, wafer de silicium

86 425,70 €

MOQ: 1