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UPD424260LE-60 DRAM Mémoire IC RAM Puce de circuit intégré UPD424260LE-60 - Product Image 1

UPD424260LE-60 DRAM Mémoire IC RAM Puce de circuit intégré UPD424260LE-60 - Product Image 2

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UPD424260LE-60 DRAM Mémoire IC RAM Puce de circuit intégré UPD424260LE-60

0,276-1,40 €

MOQ: 1

Circuit intégré IS42S32160D-7BLI DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 1

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Circuit intégré IS42S32160D-7BLI DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock

0,1725-0,8624 €

MOQ: 10

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 1

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 2

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 3

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 4

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 5

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000) - Product Image 6

Composants électroniques K4Z80325BC-HC14 Puce DRAM GDDR6 DDR SDRAM 8 Gbit 256M x 32 FBGA 180 broches - Plateaux (Réf. alternative : K4Z80325BC-HC14000)

1,72-9,48 €

MOQ: 10

Circuit intégré IS43DR16320E-25DBLI DRAM 512 Mbit par canal 84TWBGA, neuf et original, en stock - Product Image 1

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0,1725-0,8624 €

MOQ: 10

UPD424260-60 Circuit intégré DRAM asynchrone 1M-4bit 60ns DIP-18, puce mémoire industrielle | Original B894 - Product Image 1

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UPD424260-60 Circuit intégré DRAM asynchrone 1M-4bit 60ns DIP-18, puce mémoire industrielle | Original B894 - Product Image 4

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UPD424260-60 Circuit intégré DRAM asynchrone 1M-4bit 60ns DIP-18, puce mémoire industrielle | Original B894 - Product Image 6

UPD424260-60 Circuit intégré DRAM asynchrone 1M-4bit 60ns DIP-18, puce mémoire industrielle | Original B894

1,04-4,14 €

MOQ: 1

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 1

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 2

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 3

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 4

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 5

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 6

Circuit intégré IS43LD32160A-25BLI DRAM 512 Mbit par canal 134TFBGA, neuf et original, en stock

0,1725-0,8624 €

MOQ: 10

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 1

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 2

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 3

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 4

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 5

Circuit intégré IS42S32160F-7BL DRAM 512 Mbit par canal 90TFBGA, neuf et original, en stock - Product Image 6

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0,1725-0,8624 €

MOQ: 10

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 1

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 2

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 3

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 4

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 5

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16 - Product Image 6

Circuit intégré original TAIYAN W9812G6KH-6, puce 128 Mbit DRAM synchrone 166 MHz 3V-3.6V 8M x 16

1,69-1,80 €

MOQ: 1