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Transistor à effet de champ (MOSFET) LND150N8-G SOT-89, neuf et original - Product Image 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) LND150N8-G SOT-89, neuf et original - Product Image 6

Transistor à effet de champ (MOSFET) LND150N8-G SOT-89, neuf et original

0,9001-3,30 €
quantité minimum: 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) IPP034NE7N3 G TO-220-3, neuf, de marque originale - Product Image 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) IPP034NE7N3 G TO-220-3, neuf, de marque originale - Product Image 6

Transistor à effet de champ (MOSFET) IPP034NE7N3 G TO-220-3, neuf, de marque originale

3,51-11,37 €
quantité minimum: 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) BSO080P03NS3E G-VB SO-8, neuf et original - Product Image 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) BSO080P03NS3E G-VB SO-8, neuf et original

0,2315-0,9172 €
quantité minimum: 1
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Tout nouveau transistor à effet de champ à transistor TO-251 CS4N80A3HD-G d'origine (MOSFET) - Product Image 1
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Tout nouveau transistor à effet de champ à transistor TO-251 CS4N80A3HD-G d'origine (MOSFET)

0,3001-1,17 €
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Transistor à effet de champ (MOSFET) BSZ165N04NS G-VB DFN-8(3x3) neuf et original - Product Image 1
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Transistor à effet de champ (MOSFET) BSZ165N04NS G-VB DFN-8(3x3) neuf et original

0,4458-1,71 €
quantité minimum: 1
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Nouveau transistor bipolaire à jonction (BJT) YFW1012A-G SOT-223 d'origine, composants électroniques en gros et service BOM - Product Image 1
Nouveau transistor bipolaire à jonction (BJT) YFW1012A-G SOT-223 d'origine, composants électroniques en gros et service BOM - Product Image 2
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Nouveau transistor bipolaire à jonction (BJT) YFW1012A-G SOT-223 d'origine, composants électroniques en gros et service BOM

0,1201-0,4886 €
quantité minimum: 5
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Diode Schottky BAT54C-G SOT-23 neuve et originale, fournisseur de composants électroniques en gros et service BOM - Product Image 1
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Diode Schottky BAT54C-G SOT-23 neuve et originale, fournisseur de composants électroniques en gros et service BOM

0,0086-0,0515 €
quantité minimum: 20
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
Tout nouveau transistor de LLP1006-2M de VCUT05B1-DD1-G-08 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 1
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Tout nouveau transistor de LLP1006-2M de VCUT05B1-DD1-G-08 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD)

0,2572-0,9944 €
quantité minimum: 1
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