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Igbt transistor

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Nouveau et original Transistor IKW75N60T K75T60 TO-247 75A/600V Machine à souder IGBT - Product Image 1
Nouveau et original Transistor IKW75N60T K75T60 TO-247 75A/600V Machine à souder IGBT - Product Image 2
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Nouveau et original Transistor IKW75N60T K75T60 TO-247 75A/600V Machine à souder IGBT

8,84-44,17 €
quantité minimum: 100 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.9/5.0(16)
FGH4L40T120RWD FS7 UJ4N 1200V 40A SCR IGBT Autre emballage 4L Transistor pour applications d'onduleur, de commutation et d'amplification - Product Image 1

FGH4L40T120RWD FS7 UJ4N 1200V 40A SCR IGBT Autre emballage 4L Transistor pour applications d'onduleur, de commutation et d'amplification

1,92-5,03 €
quantité minimum: 1 pièce
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
2 yrsSG flagSG
Jekevi Nouveau et Original IKW75N65EH5 K75EEH5 75A 650V TO-247 IGBT Transistor IGBT - Product Image 1
Jekevi Nouveau et Original IKW75N65EH5 K75EEH5 75A 650V TO-247 IGBT Transistor IGBT - Product Image 2
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Jekevi Nouveau et Original IKW75N65EH5 K75EEH5 75A 650V TO-247 IGBT Transistor IGBT

0,4417 €
quantité minimum: 10 pièces
Jekevi Electronics Limited
1 yrsHK flagHK
Transistors IGBT 650V 80A TO-247 STGW40H65DFB - Product Image 1

Transistors IGBT 650V 80A TO-247 STGW40H65DFB

0,8833-13,25 €
quantité minimum: 10 pièces
QUATTRO TECHNOLOGY CO., LIMITED
11 yrsHK flagHK4.9/5.0(34)
JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface - Product Image 1
JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface - Product Image 2
JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface - Product Image 3
JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface - Product Image 4
JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface - Product Image 5

JT075N065WED 075N065 75N65 075N65 75A 650V TO-247 Transistor à effet de champ IGBT haute puissance JMY Montage en surface

1,29-1,33 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(7)
GWT40HP65FB Original Nouveau Transistor IGBT TO3P STGWT40HP65FB - Product Image 1
GWT40HP65FB Original Nouveau Transistor IGBT TO3P STGWT40HP65FB - Product Image 2
GWT40HP65FB Original Nouveau Transistor IGBT TO3P STGWT40HP65FB - Product Image 3
GWT40HP65FB Original Nouveau Transistor IGBT TO3P STGWT40HP65FB - Product Image 4

GWT40HP65FB Original Nouveau Transistor IGBT TO3P STGWT40HP65FB

0,5742-7,82 €
quantité minimum: 10 pièces
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 1
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 2
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 3
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 4
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 5
CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810 - Product Image 6

CZChips KBU810 8A 1000V KBU8A DIP4 700V Transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor KBU810

0,0009-0,0089 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(14)
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 1
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 2
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 3
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 4
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 5
HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B - Product Image 6

HGTD1N120BNS9A TO‑252 Transistor IGBT NPT DPAK 1200V 5,3 A 60W 14nC Dispositif discret CMS Original en stock 1N120B

0,661-1,33 €
quantité minimum: 1 pièce
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)