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Circuit intégré original SS8050, transistor bipolaire (BJT) NPN, 25 V, 1,5 A, 100 MHz, 300 mW, montage en surface SOT-23, série SS8 - Product Image 1

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Circuit intégré original SS8050, transistor bipolaire (BJT) NPN, 25 V, 1,5 A, 100 MHz, 300 mW, montage en surface SOT-23, série SS8

0,0012-0,0024 €

MOQ: 1

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable - Product Image 1

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable - Product Image 2

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable - Product Image 3

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable - Product Image 4

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable - Product Image 5

Vanne d'admission double pour machines à laver, 4,8 mm, en plastique, alimentation électrique, fabriquée en PP durable

2,09-2,58 €

MOQ: 2

USEMI Transistor IC à canal N de haute qualité MOSFET 55V 31A 0.06 Ohm DPAK MOSFET de puissance IRFR5305TRPBF - Product Image 1

USEMI Transistor IC à canal N de haute qualité MOSFET 55V 31A 0.06 Ohm DPAK MOSFET de puissance IRFR5305TRPBF - Product Image 2

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USEMI Transistor IC à canal N de haute qualité MOSFET 55V 31A 0.06 Ohm DPAK MOSFET de puissance IRFR5305TRPBF

0,1626 €

MOQ: 1

Circuits intégrés FPGA embarqués d'origine, circuits intégrés à porte logique programmable par l'utilisateur, 900-FPBGA (31x31) LFE2M100E-5F900I - Product Image 1

Circuits intégrés FPGA embarqués d'origine, circuits intégrés à porte logique programmable par l'utilisateur, 900-FPBGA (31x31) LFE2M100E-5F900I - Product Image 2

Circuits intégrés FPGA embarqués d'origine, circuits intégrés à porte logique programmable par l'utilisateur, 900-FPBGA (31x31) LFE2M100E-5F900I - Product Image 3

Circuits intégrés FPGA embarqués d'origine, circuits intégrés à porte logique programmable par l'utilisateur, 900-FPBGA (31x31) LFE2M100E-5F900I - Product Image 4

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0,4194 €

MOQ: 100

Transistor bipolaire (BJT) NPN STMicroelectronics BD135 d'origine, 45V 1.5A 1.25W, emplacement TO-126-3, application industrielle, 150°C - Product Image 1

Transistor bipolaire (BJT) NPN STMicroelectronics BD135 d'origine, 45V 1.5A 1.25W, emplacement TO-126-3, application industrielle, 150°C - Product Image 2

Transistor bipolaire (BJT) NPN STMicroelectronics BD135 d'origine, 45V 1.5A 1.25W, emplacement TO-126-3, application industrielle, 150°C - Product Image 3

Transistor bipolaire (BJT) NPN STMicroelectronics BD135 d'origine, 45V 1.5A 1.25W, emplacement TO-126-3, application industrielle, 150°C - Product Image 4

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Transistor bipolaire (BJT) NPN STMicroelectronics BD135 d'origine, 45V 1.5A 1.25W, emplacement TO-126-3, application industrielle, 150°C

0,0685-0,1027 €

MOQ: 1

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 1

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 2

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 3

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 4

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 5

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs - Product Image 6

Composants électroniques Dery Star Transistors MOSFET IRLZ44 IRLZ44NPBF TO-220 MOS 50A 60V IRLZ44N Composants actifs

0,4279 €

MOQ: 100

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 1

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 2

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 3

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 4

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 5

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W - Product Image 6

Fournisseur de composants électroniques Hy4008W, MOSFET à canal N en mode d'amélioration 80V 255A TO-247 HY4008W

0,5135-0,5563 €

MOQ: 10

Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b - Product Image 1

Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b - Product Image 2

Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b - Product Image 3

Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b - Product Image 4

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Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b - Product Image 6

Bc547b Fabricant de composants électroniques Transistor TO92 Bc547b Bc547 Transistor Bc547b

0,0856-0,8558 €

MOQ: 10