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Les gaufrettes

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Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 1

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 2

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 3

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 4

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 5

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement - Product Image 6

Connecteur de câblage SMT pour wafer, bornier de sertissage fil-circuit imprimé, pas de 1,5 mm, aiguille courbée ZH avec positionnement

0,0086-0,086 €

MOQ: 1

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 1

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 2

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 3

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 4

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 5

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur - Product Image 6

Thyristor de contrôle de phase ABB PCT Hitachi Energy 5STP 27N8500 neuf d'origine, type de wafer en silicium semi-conducteur

85 910,52-85 910,60 €

MOQ: 1

Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER - Product Image 1

Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER - Product Image 2

Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER - Product Image 3

Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER - Product Image 4

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Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER - Product Image 6

Original Electronic Components And Parts Data Acquisition Die IC DAC 10BIT A OUT DIE AD5821AD-WAFER

0,2406-0,4726 €

MOQ: 1

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 1

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 2

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 3

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 4

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 5

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium - Product Image 6

Nouveau semi-conducteur de puissance Hitachi Energy ABB d'origine 5SNA 1500G450350 Module unique IGBT HiPak Type de plaquette de silicium

0,86-0,8677 €

MOQ: 1

Plaquette WS2 de 2 pouces sur substrat saphir TMDS, haute pureté Raynext pour l'assemblage de modules semi-conducteurs - Product Image 1

Plaquette WS2 de 2 pouces sur substrat saphir TMDS, haute pureté Raynext pour l'assemblage de modules semi-conducteurs - Product Image 2

Plaquette WS2 de 2 pouces sur substrat saphir TMDS, haute pureté Raynext pour l'assemblage de modules semi-conducteurs - Product Image 3

Plaquette WS2 de 2 pouces sur substrat saphir TMDS, haute pureté Raynext pour l'assemblage de modules semi-conducteurs - Product Image 4

Plaquette WS2 de 2 pouces sur substrat saphir TMDS, haute pureté Raynext pour l'assemblage de modules semi-conducteurs

515,47-644,33 €

MOQ: 1

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 1

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 2

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 3

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 4

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 5

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium - Product Image 6

Nouveau thyristor de contrôle de Phase Hitachi Energy ABB Original PCT semi-conducteur 5STP 07D1800 matériau de plaquette de silicium

85 910,52-85 910,60 €

MOQ: 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 2

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 3

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 4

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 5

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour - Product Image 6

Nouveau Thyristor de contrôle de phase PCT Hitachi Energy ABB d'origine, semi-conducteur 5STP 25M5200, en matériau de plaquette de silicium, conçu pour

0,86-0,8677 €

MOQ: 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine - Product Image 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine - Product Image 2

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine - Product Image 3

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine - Product Image 4

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine - Product Image 5

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Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB Semiconductor PCT 5STP 03D6500 6500V, Matériau en plaquette de silicium CZ d'origine

85 910,60 €

MOQ: 1