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Circuit intégré PCA2000U/10AC/1,00 IC WATCH CIRCUIT WAFER, puce IC originale neuve en stock - Product Image 1

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Circuit intégré PCA2000U/10AC/1,00 IC WATCH CIRCUIT WAFER, puce IC originale neuve en stock

0,0863-0,6899 €

MOQ: 100

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB 5SNG 0150Q170300 62PAK plaquette de silicium 1700V 150A IGBT - Product Image 1

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB 5SNG 0150Q170300 62PAK plaquette de silicium 1700V 150A IGBT - Product Image 2

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB 5SNG 0150Q170300 62PAK plaquette de silicium 1700V 150A IGBT - Product Image 3

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Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB 5SNG 0150Q170300 62PAK plaquette de silicium 1700V 150A IGBT

86 233,80 €

MOQ: 1

Nouveau Original Hitachi Energy ABB Standard Redresseur Diodes 5SDD 11T2800 Haute Qualité Silicium Wafer Type Semiconducteurs - Product Image 1

Nouveau Original Hitachi Energy ABB Standard Redresseur Diodes 5SDD 11T2800 Haute Qualité Silicium Wafer Type Semiconducteurs - Product Image 2

Nouveau Original Hitachi Energy ABB Standard Redresseur Diodes 5SDD 11T2800 Haute Qualité Silicium Wafer Type Semiconducteurs - Product Image 3

Nouveau Original Hitachi Energy ABB Standard Redresseur Diodes 5SDD 11T2800 Haute Qualité Silicium Wafer Type Semiconducteurs - Product Image 4

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Nouveau Original Hitachi Energy ABB Standard Redresseur Diodes 5SDD 11T2800 Haute Qualité Silicium Wafer Type Semiconducteurs

86 233,80 €

MOQ: 1

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V - Product Image 1

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V - Product Image 2

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V - Product Image 3

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V - Product Image 4

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V - Product Image 5

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Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SFG 1150B120001 d'origine, haute qualité, RoadPak SiC, pour mobilité électrique, wafer de silicium 1200V

86 233,80 €

MOQ: 1

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance - Product Image 1

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance - Product Image 2

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance - Product Image 3

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance - Product Image 4

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Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance - Product Image 6

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNA 0650J450300 plaquette de silicium haute Performance semi-conducteur de puissance

86 233,72-86 233,80 €

MOQ: 3

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 1

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 2

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 3

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 4

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 5

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ - Product Image 6

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDD 08T5000, type plaque de silicium, semi-conducteurs de haute qualité, origine CZ

0,8633-0,871 €

MOQ: 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 1

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 2

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 3

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 4

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 5

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine - Product Image 6

Nouveau Thyristor de contrôle de phase Hitachi Energy ABB PCT 5STP 25L5200 5200V, semi-conducteur, wafer de silicium CZ d'origine

86 233,80 €

MOQ: 1

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDA 27F2002, type plaquette de silicium CZ, semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 1

Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDA 27F2002, type plaquette de silicium CZ, semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 2

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Nouvelles diodes anti-avalanche Hitachi Energy ABB originales 5SDA 27F2002, type plaquette de silicium CZ, semi-conducteurs de haute qualité

0,8633-0,871 €

MOQ: 1