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Pecvd

(564 produits disponibles)

Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 1
Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 2
Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 3
Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 4
Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 5
Four tubulaire rotatif à glissière <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé - Product Image 6
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Four tubulaire rotatif à glissière PECVD à haute température 1200°C - 1800°C, machine de four tubulaire électrique CVD, prix avec vide élevé

US $3250.00-$10800.00
quantité minimum: 1 jeu
Verified Supplier7 yrscountry flagCN
Générateur RF Compact 500W, 13.56 MHz, 500W, avec réseau Auto-assorti pour bricolage, spuning/pci vd - Product Image 1
Générateur RF Compact 500W, 13.56 MHz, 500W, avec réseau Auto-assorti pour bricolage, spuning/pci vd - Product Image 2

Générateur RF Compact 500W, 13.56 MHz, 500W, avec réseau Auto-assorti pour bricolage, spuning/pci vd

US $1500.00-$4500.00
quantité minimum: 1 jeu
9 yrscountry flagCN
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 1
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 2
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 3
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 4
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 5
<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel - Product Image 6

PECVD de TEOS SiO2 VCSEL fabrication de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium RF plasma 1000C four à tubes de STA professionnel

US $5000.00-$20000.00
quantité minimum: 1 jeu
14 yrscountry flagCN
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 1
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 2
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 3
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 4
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 5
Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> et dispositifs à semi-conducteurs - Product Image 6

Chambre de dépôt sous vide universelle pour CVD PVD PECVD et dispositifs à semi-conducteurs

US $29800.00-$30000.00
quantité minimum: 1 acre
Verified Supplier12 yrscountry flagCN
Four à graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> four à tubes CVD en graphène - Product Image 1
Four à graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> four à tubes CVD en graphène - Product Image 2
Four à graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> four à tubes CVD en graphène - Product Image 3
Four à graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> four à tubes CVD en graphène - Product Image 4
Four à graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> four à tubes CVD en graphène - Product Image 5

Four à graphène PECVD / CVD à dépôt chimique en phase vapeur amélioré au plasma HT/four PECVD four à tubes CVD en graphène

US $2800.00
quantité minimum: 1 jeu
9 yrscountry flagCN
Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/LPCVD) - Product Image 1
Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/LPCVD) - Product Image 2
Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/LPCVD) - Product Image 3
Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/LPCVD) - Product Image 4
Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (<span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/LPCVD) - Product Image 5

Films minces personnalisés en oxyde de silicium SiO2 et en nitrure de silicium Si3N4, revêtus par dépôt chimique par vapeur (PECVD/LPCVD)

US $10.00-$180.00
quantité minimum: 25 pièces
1 yrscountry flagCN
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 1
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 2
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 3
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 4
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 5
Four à tube pour la croissance du graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span>/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C - Product Image 6

Four à tube pour la croissance du graphène PECVD/CVD avec tube en quartz de haute pureté, température maximale de 1200°C

US $11000.00-$23000.00
quantité minimum: 1 pièce
2 yrscountry flagCN
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 1
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 2
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 3
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 4
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 5
Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène <span class=keywords><strong>PECVD</strong></span> utilisé pour le carburisage des pièces en acier - Product Image 6

Dépôt chimique par vapeur (CVD) de graphène PECVD utilisé pour le carburisage des pièces en acier

US $9999.00-$19999.00
quantité minimum: 1 jeu
6 yrscountry flagCN

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