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Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z - Product Image 1

Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z - Product Image 2

Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z - Product Image 3

Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z - Product Image 4

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Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z - Product Image 6

Puce de conversion synchrone LDO 100 mA, emballage ALVF QFN-12, sérigraphie NB680GD-Z

0,0872-0,8713 €

MOQ: 5

Transistor à effet de champ MOSFET 4800 AO4800 SOIC-8 double canal N 30V/6.9A à montage en surface - Product Image 1

Transistor à effet de champ MOSFET 4800 AO4800 SOIC-8 double canal N 30V/6.9A à montage en surface - Product Image 2

Transistor à effet de champ MOSFET 4800 AO4800 SOIC-8 double canal N 30V/6.9A à montage en surface - Product Image 3

Transistor à effet de champ MOSFET 4800 AO4800 SOIC-8 double canal N 30V/6.9A à montage en surface - Product Image 4

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Transistor à effet de champ MOSFET 4800 AO4800 SOIC-8 double canal N 30V/6.9A à montage en surface

0,0872-0,1743 €

MOQ: 5

ADG736BRMZ-REEL7 Circuit Intégré SAB MSOP-10 CMOS à Double Canal, Commutateur Unipolaire à Double Position (SPDT) - Product Image 1

ADG736BRMZ-REEL7 Circuit Intégré SAB MSOP-10 CMOS à Double Canal, Commutateur Unipolaire à Double Position (SPDT) - Product Image 2

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ADG736BRMZ-REEL7 Circuit Intégré SAB MSOP-10 CMOS à Double Canal, Commutateur Unipolaire à Double Position (SPDT)

0,0872-0,8713 €

MOQ: 5

SN74HC244NSR Silk Screen HC244 SOIC-20, sortie à trois états, tampon à huit canaux et pilote de ligne - Product Image 1

SN74HC244NSR Silk Screen HC244 SOIC-20, sortie à trois états, tampon à huit canaux et pilote de ligne - Product Image 2

SN74HC244NSR Silk Screen HC244 SOIC-20, sortie à trois états, tampon à huit canaux et pilote de ligne - Product Image 3

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SN74HC244NSR Silk Screen HC244 SOIC-20, sortie à trois états, tampon à huit canaux et pilote de ligne - Product Image 6

SN74HC244NSR Silk Screen HC244 SOIC-20, sortie à trois états, tampon à huit canaux et pilote de ligne

0,0872-0,1743 €

MOQ: 5

Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K - Product Image 1

Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K - Product Image 2

Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K - Product Image 3

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Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K - Product Image 5

Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K - Product Image 6

Résistance à film métallique 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W, résistance 0,25W, résistance à anneau coloré de précision 1% 5%, 1 Ohm Ω R 1M 1K

0,0088-0,0872 €

MOQ: 100

Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie - Product Image 1

Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie - Product Image 2

Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie - Product Image 3

Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie - Product Image 4

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Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie - Product Image 6

Verre arrière de remplacement en verre de couverture arrière de téléphone portable pour Redmi 6 7A 8 8A 9 9A 9T 10 12 13 couvercle de batterie

0,8713-8,72 €

MOQ: 10

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 1

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 2

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 3

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 4

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 5

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original - Product Image 6

Accéléromètre MEMS 3 axes à faible bruit et faible consommation d'énergie ADXL355BEZ-RL7, boîtier LCC-14, original

0,8713-17,43 €

MOQ: 5

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 1

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 2

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 3

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 4

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 5

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile - Product Image 6

FM28V100 FM28V100-TG, boîtier TSOP32, puce de mémoire ferroélectrique non volatile

0,8713-3,49 €

MOQ: 5