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Machine de réparation de téléphone portable 946C, appareil de séparation par chauffage, plaque chauffante électronique, plateforme de préchauffage, réparation de PCB, écran tactile de téléphone portable - Product Image 1

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Machine de réparation de téléphone portable 946C, appareil de séparation par chauffage, plaque chauffante électronique, plateforme de préchauffage, réparation de PCB, écran tactile de téléphone portable

21,74-26,08 €

MOQ: 10

SGM2019-1.8YN5G/TR Puce de régulateur linéaire YJ18 SOT23-5 à écran sérigraphié - Product Image 1

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SGM2019-1.8YN5G/TR Puce de régulateur linéaire YJ18 SOT23-5 à écran sérigraphié

0,0864-0,2591 €

MOQ: 10

SN74HC373DWR Silk Screen HC373 SOIC-20 Puce de verrouillage transparente de type D à huit canaux - Product Image 1

SN74HC373DWR Silk Screen HC373 SOIC-20 Puce de verrouillage transparente de type D à huit canaux - Product Image 2

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SN74HC373DWR Silk Screen HC373 SOIC-20 Puce de verrouillage transparente de type D à huit canaux

0,0864-0,1727 €

MOQ: 5

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 1

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 2

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 3

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 4

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 5

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée - Product Image 6

MAX8556ATE+T Silk Screen 8556E QFN-16-EP 4A Puce régulatrice LDO à très basse tension d'entrée

0,0864-1,73 €

MOQ: 10

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 1

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 2

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 3

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 4

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 5

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor - Product Image 6

MODULE FF50R12RT4 50A1200V IGBT, module d'alimentation à thyristor

0,8635-8,64 €

MOQ: 5

TC4427AE TC4427AEOA713 SOIC-8 1.5A Puce de commande MOSFET double haute vitesse 1,5 A - Product Image 1

TC4427AE TC4427AEOA713 SOIC-8 1.5A Puce de commande MOSFET double haute vitesse 1,5 A - Product Image 2

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TC4427AE TC4427AEOA713 SOIC-8 1.5A Puce de commande MOSFET double haute vitesse 1,5 A - Product Image 5

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TC4427AE TC4427AEOA713 SOIC-8 1.5A Puce de commande MOSFET double haute vitesse 1,5 A

0,0864-0,4318 €

MOQ: 5

Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8 - Product Image 1

Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8 - Product Image 2

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Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8 - Product Image 4

Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8 - Product Image 5

Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8 - Product Image 6

Écran en soie MCP2562-E/SN, puce émetteur-récepteur CAN haute vitesse MCP2562E Patch SOIC-8

0,0864-0,4318 €

MOQ: 5

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 1

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 2

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 3

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 4

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 5

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 6

15N10 TO-252 100V/20A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW

0,0087-0,0864 €

MOQ: 10