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Semi conducteur silicium

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Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SMA 3000L450300, module HiPak simple LGBT, type plaque de silicium, fabriqué en Suisse - Product Image 1

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SMA 3000L450300, module HiPak simple LGBT, type plaque de silicium, fabriqué en Suisse - Product Image 2

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SMA 3000L450300, module HiPak simple LGBT, type plaque de silicium, fabriqué en Suisse - Product Image 3

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SMA 3000L450300, module HiPak simple LGBT, type plaque de silicium, fabriqué en Suisse - Product Image 4

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SMA 3000L450300, module HiPak simple LGBT, type plaque de silicium, fabriqué en Suisse

85 415,70 €

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Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SNA 0800N330100, module LGBT HiPak unique, type de plaquette de silicium CH - Product Image 1

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SNA 0800N330100, module LGBT HiPak unique, type de plaquette de silicium CH - Product Image 2

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Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SNA 0800N330100, module LGBT HiPak unique, type de plaquette de silicium CH - Product Image 6

Module semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5SNA 0800N330100, module LGBT HiPak unique, type de plaquette de silicium CH

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Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 1

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 2

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 3

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 4

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 5

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine - Product Image 6

Nouveaux semi-conducteurs à tyristors GTO à découpage de porte Hitachi Energy ABB 5SGA 30J2501 en silicium, fabriqués en Chine

42,71-85,42 €

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Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 1

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 2

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 3

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 4

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 5

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak - Product Image 6

Nouveau semi-conducteur à double diode Hitachi Energy ABB 5SLD 1500J450350 d'origine, fabriqué à partir de plaques de silicium de haute qualité, Hipak

85 415,70 €

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Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNE 0800G450300 HiPak Chopper semi-conducteur plaquette de silicium - Product Image 1

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNE 0800G450300 HiPak Chopper semi-conducteur plaquette de silicium - Product Image 2

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNE 0800G450300 HiPak Chopper semi-conducteur plaquette de silicium - Product Image 3

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Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNE 0800G450300 HiPak Chopper semi-conducteur plaquette de silicium - Product Image 6

Nouveau module d'origine Hitachi Energy ABB IGBT 5SNE 0800G450300 HiPak Chopper semi-conducteur plaquette de silicium

85 415,62-85 415,70 €

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Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 1

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 2

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 3

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 4

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 5

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité - Product Image 6

Nouveau semi-conducteur d'origine Hitachi Energy ABB 5STP40X6500 Type de plaquette de silicium Thyristor de contrôle de Phase semi-conducteurs de haute qualité

85 415,70 €

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Thyristor de contrôle de phase 5STP 34Q5200 haute performance d'origine, nouvelle génération, Hitachi Energy ABB Semiconductor, matériau en plaquette de silicium - Product Image 1

Thyristor de contrôle de phase 5STP 34Q5200 haute performance d'origine, nouvelle génération, Hitachi Energy ABB Semiconductor, matériau en plaquette de silicium - Product Image 2

Thyristor de contrôle de phase 5STP 34Q5200 haute performance d'origine, nouvelle génération, Hitachi Energy ABB Semiconductor, matériau en plaquette de silicium - Product Image 3

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Thyristor de contrôle de phase 5STP 34Q5200 haute performance d'origine, nouvelle génération, Hitachi Energy ABB Semiconductor, matériau en plaquette de silicium - Product Image 6

Thyristor de contrôle de phase 5STP 34Q5200 haute performance d'origine, nouvelle génération, Hitachi Energy ABB Semiconductor, matériau en plaquette de silicium

85 415,70 €

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Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance - Product Image 1

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance - Product Image 2

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance - Product Image 3

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance - Product Image 4

Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance - Product Image 5

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Nouveau module IGBT Hitachi Energy ABB 5SNA 2000K450300, paquet standard, plaque de silicium, 4500V, semi-conducteur de puissance

85 415,70 €

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