All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Transistor de puissance fonctionnement

(999+ produits disponibles)

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 1
HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 2
HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 3
HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 4
HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 5
HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> standard - Product Image 6

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard

0,4506-0,6308 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHong Kong (RAS) flagHK
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 1
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 2
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 3
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 4
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 5
Nouveau <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, interrupteur <span class=keywords><strong>de</strong></span> charge pour appareils portables - Product Image 6

Nouveau transistor MOSFET de puissance à canal N Depai CJ2302 20V 2.1A, boîtier SOT-23, température de fonctionnement 150°C, interrupteur de charge pour appareils portables

0,0361-0,0902 €
quantité minimum: 2 pièces
Shenzhen Depai Technology Co., Ltd.
8 yrsChine flagCN
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> N-canal 20V CSD15571Q2 WSON-6 à montage en surface pour contrôle <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> et commutation, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> -55 à +150°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance N-canal 20V CSD15571Q2 WSON-6 à montage en surface pour contrôle de puissance et commutation, température de fonctionnement -55 à +150°C

0,1442-0,5587 €
quantité minimum: 1 pièce
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
2 yrsSingapour flagSG
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 1
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 2
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 3
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 4
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 5
Transistors <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> NPN, <span class=keywords><strong>transistor</strong></span> Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, conformité aux normes - Product Image 6

Transistors de puissance NPN, transistor Darlington ICPB1005-1-110I 5 1, boîtier à montage en surface, température de fonctionnement 150°C, conformité aux normes

0,0181-0,0271 €
quantité minimum: 51000 pièces
Shenzhen Fortune Technology Development Co., Ltd.
6 yrsChine flagCN
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 1
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 2
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 3
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 4
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 5
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>puissance</strong></span> MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>fonctionnement</strong></span> 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6 - Product Image 6

Transistor de puissance MOSFET double canal N 8205A, 20V 5A, faible RDS(on), température de fonctionnement 150°C, capacité d'entrée 630pF, SOT-23-6

0,0451-0,1442 €
quantité minimum: 10 pièces
Shenzhen Xingjieying Technology Co., Ltd.
1 yrsChine flagCN
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 1
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 2
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 3
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 4
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 5
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température <span class=keywords><strong>de</strong></span> <span class=keywords><strong>Fonctionnement</strong></span> -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD

0,7209-1,09 €
quantité minimum: 2 pièces
YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED
1 yrsHong Kong (RAS) flagHK
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 1
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 2
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 3
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 4
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 5
SACOH 40N60UFD <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> IGBT MOSFET <span class=keywords><strong>de</strong></span> Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD - Product Image 6

SACOH 40N60UFD Transistor IGBT MOSFET de Haute Qualité Fournisseur FGA40N65SMD

0,4506 €
quantité minimum: 10 pièces
Shenzhen Sacoh Electronic Co., Ltd.
verify10 yrsChine flagCN
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 1
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 2
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 3
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 4
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 5
<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> NPN haute tension <span class=keywords><strong>de</strong></span> rupture BU406 - Product Image 6

Transistor NPN haute tension de rupture BU406

0,0721-0,1082 €
quantité minimum: 200 pièces
Yangzhou Positioning Tech. Co., Ltd.
verify23 yrsChine flagCN

Recherches associées:

meilleur transistor radiotip42irb 1200amplificateur de puissance501 81c60nmz7l37t6hbla 00a07transalp xl750transistor bartrafic l2h2inverseur transistoragp3500 s1 d242sa1943regulateur mosfetxl750 transalpirf540g2r 1 sn dc24commutation mosfet de puissance