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Transistor de puissance

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Transistor de puissance GaN HEMT SMD LMG3527R030 650V à large écart de niveau, semi-conducteur de haute qualité, composant électronique - Product Image 1
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Transistor de puissance GaN HEMT SMD LMG3527R030 650V à large écart de niveau, semi-conducteur de haute qualité, composant électronique

1,81-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance MOSFET SiC IMBG120R030M1H TO247 1200V à faible Rds(on) – Composant électronique semi-conducteur de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de puissance MOSFET SiC IMBG120R030M1H TO247 1200V à faible Rds(on) – Composant électronique semi-conducteur de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
IRF3205 N-CHANNEL 55V 110A - MOSFET 55V 110A Transistor de puissance à faible résistance - Product Image 1
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IRF3205 N-CHANNEL 55V 110A - MOSFET 55V 110A Transistor de puissance à faible résistance

1,81-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance d'origine TIP142 TIP147 TO-247 TIP147 100V 15A 125W pour commande de moteur - Product Image 1
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Transistor de puissance d'origine TIP142 TIP147 TO-247 TIP147 100V 15A 125W pour commande de moteur

0,299 €
quantité minimum: 10 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 1
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 2
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 3
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 4
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 5
Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C - Product Image 6

Transistor de puissance SUNFON G40T60AK3HD CRG40T60AK3HD 40T60AK3HD TO-247 IGBT 650V 40A 280W -55C à +175C

0,0453-0,2084 €
quantité minimum: 3 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 1
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 2
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 3
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 4
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 5
Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C - Product Image 6

Composants électroniques Transistor de puissance à 3 pôles 4227 TO-220 200V 150A Mode d'amélioration canal N 330W à commutation rapide -40°C +175°C

0,8152-0,9964 €
quantité minimum: 3 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Composants électroniques en gros de Chine : Transistor de puissance à puce IC, référence BOM 2N7002 - Product Image 1
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Composants électroniques en gros de Chine : Transistor de puissance à puce IC, référence BOM 2N7002

0,8968 €
quantité minimum: 10 pièces
MRCSS LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 1
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 2
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 3
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 4
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 5
Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse - Product Image 6

Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 40A TO247 Dispositif de commutation de puissance haute vitesse

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 1 pièce
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)

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