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Transistor de puissance

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CZChips MUR2060CT 20A 600V Transistores Igbt Cgh40010f Transistor de puissance Mosfet MUR2060CT - Product Image 1
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CZChips MUR2060CT 20A 600V Transistores Igbt Cgh40010f Transistor de puissance Mosfet MUR2060CT - Product Image 6

CZChips MUR2060CT 20A 600V Transistores Igbt Cgh40010f Transistor de puissance Mosfet MUR2060CT

0,001-0,0091 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)
NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 1
NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 2

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces

0,1812 €
quantité minimum: 1 000 pièces
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(35)
Transistor Darlington de puissance SMD V3040S TO263 400V 30A NPN pour bobine d'allumage ECU automobile - Product Image 1
Transistor Darlington de puissance SMD V3040S TO263 400V 30A NPN pour bobine d'allumage ECU automobile - Product Image 2
Transistor Darlington de puissance SMD V3040S TO263 400V 30A NPN pour bobine d'allumage ECU automobile - Product Image 3
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Transistor Darlington de puissance SMD V3040S TO263 400V 30A NPN pour bobine d'allumage ECU automobile - Product Image 6

Transistor Darlington de puissance SMD V3040S TO263 400V 30A NPN pour bobine d'allumage ECU automobile

0,4801 €
quantité minimum: 10 pièces
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(7)
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 1
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 2
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 3
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 4
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 5
JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252 - Product Image 6

JT05N065RAD JT05N065 Transistor de puissance IGBT TO-252

0,2355-0,2446 €
quantité minimum: 30 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(31)
RJK0393DPA-0G # TRANSISTOR DE PUISSANCE J7A, MOSFET, puce IC d'origine neuve en stock - Product Image 1
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RJK0393DPA-0G # TRANSISTOR DE PUISSANCE J7A, MOSFET, puce IC d'origine neuve en stock - Product Image 6

RJK0393DPA-0G # TRANSISTOR DE PUISSANCE J7A, MOSFET, puce IC d'origine neuve en stock

0,1812-0,9058 €
quantité minimum: 10 pièces
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 1
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 2
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 3
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 4
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 5
Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L - Product Image 6

Transistor de puissance en carbure de silicium CRXQF45M065G2Z SiC MOSFET 650V 49A TO-247-4L

0,4801 €
quantité minimum: 10 pièces
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(7)
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 1
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 2
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 3
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 4
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 5
MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ - Product Image 6

MOSFET de puissance à canal P 50P06 60V 50A TO252 Transistor à effet de champ

0,4801 €
quantité minimum: 10 pièces
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(7)
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 1
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 2
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 3
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 4
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 5
Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage - Product Image 6

Transistor IGBT G60T65D 650V 60A TO-3P pour onduleur de soudage

0,4801 €
quantité minimum: 10 pièces
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(7)

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