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Transistor poste

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Transistors MOSFET G1N65R035 650V à canal N avec contrôleurs Si-mos TO-247-3L G1N65R035TB-N - Product Image 1
Transistors MOSFET G1N65R035 650V à canal N avec contrôleurs Si-mos TO-247-3L G1N65R035TB-N - Product Image 2
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Transistors MOSFET G1N65R035 650V à canal N avec contrôleurs Si-mos TO-247-3L G1N65R035TB-N - Product Image 6

Transistors MOSFET G1N65R035 650V à canal N avec contrôleurs Si-mos TO-247-3L G1N65R035TB-N

3,73-3,90 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(7)
CZChips D25XB60 25A 600V GBJ2506 Circuit de transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor D25XB60 - Product Image 1
CZChips D25XB60 25A 600V GBJ2506 Circuit de transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor D25XB60 - Product Image 2
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CZChips D25XB60 25A 600V GBJ2506 Circuit de transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor D25XB60 - Product Image 4
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CZChips D25XB60 25A 600V GBJ2506 Circuit de transistor de puissance Transistores Igbt Mosfet Transistor D25XB60

0,0009-0,0089 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 1
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 2
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 3
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 4
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 5
Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock - Product Image 6

Circuit Intégré d'origine (IRFB4310PBF) MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Transistor Composants Électroniques En Stock

1,51 €
quantité minimum: 100 pièces
HAWKWINTECH ELECTRONICS COMPANY LIMITED
10 yrsHK flagHK
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 1
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 2
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 3
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 4
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 5
Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W - Product Image 6

Transistor MOSFET de puissance RF d'origine USEMI 350W 30MHz 25dB Gain 50V N-Channel M177 Package, SD2943W

53,18-57,61 €
quantité minimum: 1 pièce
USEMI LIMITED
4 yrsHK flagHK4.9/5.0(17)
Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock - Product Image 1
Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock - Product Image 2
Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock - Product Image 3
Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock - Product Image 4
Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock - Product Image 5

Nouveaux et originaux semi-conducteurs et redresseurs discrets, composants IC, transistors 2SK1529 2SJ200 DIP en stock

29,16-34,13 €
quantité minimum: 10 pièces
BRIVANTA NON-SPECIALIZED WHOLESALE TRADING
1 yrsPH flagPH
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 1
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 2
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 3
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 4
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 5
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 6

Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine

0,3102-0,4432 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(5)
Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 1
Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 2
Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 3

Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110

0,4432 €
quantité minimum: 1 pièce
FANLIN CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.3/5.0(18)
Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original - Product Image 1
Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original - Product Image 2
Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original - Product Image 3
Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original - Product Image 4
Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original - Product Image 5

Module de transistor IPM BIBO PM200CSA060 200A/600V/6U en stock, original

136,41 €
quantité minimum: 1 pièce
Mika Garment Co., Ltd.
1 yrsTH flagTH