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Transistor poste

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Tube IGBT pour machine à souder à onduleur 40G120WD FGW40G120WD 40A1200V TO-247 - Product Image 1

Tube IGBT pour machine à souder à onduleur 40G120WD FGW40G120WD 40A1200V TO-247 - Product Image 2

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Tube IGBT pour machine à souder à onduleur 40G120WD FGW40G120WD 40A1200V TO-247

0,5939-0,6027 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

AOD4185 D4185 TO-3PL P-channel -40V/-40A MOSFET (transistor à effet de champ) à montage en surface, marque JMY, fournisseur ODM - Product Image 1

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0,1153-0,133 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique - Product Image 1

Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique - Product Image 2

Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique - Product Image 3

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Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique - Product Image 5

Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique - Product Image 6

Transistor Darlington Triode TIP127 TO-220, amplificateur, puce IC monolithique

0,0355 €

quantité minimum: 999 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

CZChips MBR40200PT 40A 200V TO-247 Transistor carte amplificateur Transistores Igbt Mosfet Transistor de puissance MBR40200PT - Product Image 1

CZChips MBR40200PT 40A 200V TO-247 Transistor carte amplificateur Transistores Igbt Mosfet Transistor de puissance MBR40200PT - Product Image 2

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CZChips MBR40200PT 40A 200V TO-247 Transistor carte amplificateur Transistores Igbt Mosfet Transistor de puissance MBR40200PT

0,0009-0,0089 €

quantité minimum: 1 pièce

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

IRFPC50 IRFPC50PBF TO-247 (AC) Transistor à effet de champ MOSFET canal N 600V/11A - Product Image 1

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IRFPC50 IRFPC50PBF TO-247 (AC) Transistor à effet de champ MOSFET canal N 600V/11A

0,0887-1,78 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

30N06 TO-252 60V/25A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 1

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30N06 TO-252 60V/25A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 3

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30N06 TO-252 60V/25A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW - Product Image 6

30N06 TO-252 60V/25A Transistor à effet de champ (MOS) à canal N UMW

0,0089-0,0887 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Transistor à effet de champ MOSFET NCE6050A TO-220 à canal N, 60V 50A, puissance améliorée - Product Image 1

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Transistor à effet de champ MOSFET NCE6050A TO-220 à canal N, 60V 50A, puissance améliorée - Product Image 4

Transistor à effet de champ MOSFET NCE6050A TO-220 à canal N, 60V 50A, puissance améliorée - Product Image 5

Transistor à effet de champ MOSFET NCE6050A TO-220 à canal N, 60V 50A, puissance améliorée - Product Image 6

Transistor à effet de champ MOSFET NCE6050A TO-220 à canal N, 60V 50A, puissance améliorée

0,0887-0,1773 €

quantité minimum: 5 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Transistor/module IGBT AUIRGP4062D-E TO-247AD - Product Image 1

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Transistor/module IGBT AUIRGP4062D-E TO-247AD

0,0887-0,1773 €

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HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs