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Transistor poste

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Transistor à effet de champ MOSFET à montage en surface AOD444 Silk Screen D444 TO-252 canal N 60V/12A - Product Image 1

Transistor à effet de champ MOSFET à montage en surface AOD444 Silk Screen D444 TO-252 canal N 60V/12A - Product Image 2

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Transistor à effet de champ MOSFET à montage en surface AOD444 Silk Screen D444 TO-252 canal N 60V/12A

0,0883-0,1765 €

quantité minimum: 5 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

4453 AO4453 SOIC-8 P-channel 12V/-9A Transistor à effet de champ MOSFET monté en surface - Product Image 1

4453 AO4453 SOIC-8 P-channel 12V/-9A Transistor à effet de champ MOSFET monté en surface - Product Image 2

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4453 AO4453 SOIC-8 P-channel 12V/-9A Transistor à effet de champ MOSFET monté en surface

0,0883-0,1765 €

quantité minimum: 5 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 1

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 2

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 3

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 4

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 5

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée - Product Image 6

Thyristor bidirectionnel BTA16-600B TO-220 600V 16A, transistor de puissance élevée

0,0883-0,1765 €

quantité minimum: 5 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 1

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 2

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 3

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 4

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 5

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN - Product Image 6

FHP10N60 10N60 TO-220 HKST MOSFET 10A 600V CN

0,1677-0,1765 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Inverter MP3205 à canal N, résistance à la tension 55V, courant 110, transistor MOS à effet de champ IRF3205PBF - Product Image 1

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Inverter MP3205 à canal N, résistance à la tension 55V, courant 110, transistor MOS à effet de champ IRF3205PBF

0,0883-0,1765 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

CZChips FQF12N65 12A 650V TO-220F Transistor Tip122 Hzh Ic 6822 Disipadores De Aluminio Para Igbt Transistor Prix FQF12N65 - Product Image 1

CZChips FQF12N65 12A 650V TO-220F Transistor Tip122 Hzh Ic 6822 Disipadores De Aluminio Para Igbt Transistor Prix FQF12N65 - Product Image 2

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CZChips FQF12N65 12A 650V TO-220F Transistor Tip122 Hzh Ic 6822 Disipadores De Aluminio Para Igbt Transistor Prix FQF12N65

0,0009-0,0089 €

quantité minimum: 1 pièce

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

IRFP90N20DPBF 90N20 94A 200V MOSFET à montage en surface, boîtier TO-247 - Product Image 1

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IRFP90N20DPBF 90N20 94A 200V MOSFET à montage en surface, boîtier TO-247 - Product Image 5

IRFP90N20DPBF 90N20 94A 200V MOSFET à montage en surface, boîtier TO-247 - Product Image 6

IRFP90N20DPBF 90N20 94A 200V MOSFET à montage en surface, boîtier TO-247

0,8823-0,9705 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

AO3416A Silk Screen AG SOT-23 20V/6.5A Puce MOS (transistor à effet de champ) à canal N - Product Image 1

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AO3416A Silk Screen AG SOT-23 20V/6.5A Puce MOS (transistor à effet de champ) à canal N

0,0089-0,0265 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs