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Transistor poste

(999+ produits disponibles)

IGBT USEMI Original, 600V 60A, boîtier TO-3P, pour applications de commutation de puissance, SGT60N60FD1PN - Product Image 1
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IGBT USEMI Original, 600V 60A, boîtier TO-3P, pour applications de commutation de puissance, SGT60N60FD1PN - Product Image 6

IGBT USEMI Original, 600V 60A, boîtier TO-3P, pour applications de commutation de puissance, SGT60N60FD1PN

0,7625-0,8664 €
quantité minimum: 1 pièce
USEMI LIMITED
4 yrsHK flagHK4.9/5.0(15)
MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide - Product Image 1
MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide - Product Image 2
MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide - Product Image 3
MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide - Product Image 4
MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide - Product Image 5

MODULE IGBT 6MBI450V-170-50 Livraison rapide

163,75-169,82 €
quantité minimum: 1 pièce
STANDING DESK TECHNOLOGY VIETNAM CO., LTD
1 yrsVN flagVN
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 1
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 2
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 3
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 4
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 5
Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine - Product Image 6

Transistor à effet de champ MOSFET IRFB4110PBF, canal N, 100V/180A, insertion directe, TO-220, IRFB4110 d'origine

0,3033-0,4332 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(9)
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 1
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 2
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 3
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 4
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 5
Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN) - Product Image 6

Nouveau HI-1575PCTF Holt Émetteur-récepteur intelligent CMOS MIL-STD-1553 2TX 2RX 40 broches QFN EP 40 broches Plastique 6mmx6mm Boîtier à échelle de puce (QFN)

433,19 €
quantité minimum: 1 pièce
Story Enterprise Limited
3 yrsHK flagHK4.4/5.0(28)
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 1
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 2
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 3
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 4
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 5
Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C - Product Image 6

Nouveau Transistor Bipolaire Original à Configuration Unique 2SA1941, Boîtier à Montage Traversant, 10A 140V +150°C

0,0087-0,0434 €
quantité minimum: 10 pièces
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(4)
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 1
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 2
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 3
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 4
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 5
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 6

Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock

261,27-313,52 €
quantité minimum: 1 pièce
LANICE Trading Inc
1 yrsUS flagUS
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 1
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 2
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 3
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 4
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 5
Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock - Product Image 6

Module transistor IGBT CM1200HA-66H en stock

261,27-313,52 €
quantité minimum: 1 pièce
CONG TY CO PHAN TU VAN VA DAO TAO KHAI MINH
1 yrsVN flagVN
Amplificateur à transistor NPN à usage général PN2222A, paquet de 100 pièces - Product Image 1
Amplificateur à transistor NPN à usage général PN2222A, paquet de 100 pièces - Product Image 2
Amplificateur à transistor NPN à usage général PN2222A, paquet de 100 pièces - Product Image 3

Amplificateur à transistor NPN à usage général PN2222A, paquet de 100 pièces

0,3986 €
quantité minimum: 100 pièces
INSIGNIA LABS TECH PRIVATE LIMITED
1 yrsIN flagIN