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Transistor amplificateur audio haute puissance JMY MJL21195 MJL21196 16A250V à montage en surface TO-3PL 180W NPC+PNP - Product Image 1

Transistor amplificateur audio haute puissance JMY MJL21195 MJL21196 16A250V à montage en surface TO-3PL 180W NPC+PNP - Product Image 2

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Transistor amplificateur audio haute puissance JMY MJL21195 MJL21196 16A250V à montage en surface TO-3PL 180W NPC+PNP - Product Image 5

Transistor amplificateur audio haute puissance JMY MJL21195 MJL21196 16A250V à montage en surface TO-3PL 180W NPC+PNP - Product Image 6

Transistor amplificateur audio haute puissance JMY MJL21195 MJL21196 16A250V à montage en surface TO-3PL 180W NPC+PNP

0,6047-1,20 €

MOQ: 10

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3 - Product Image 1

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3 - Product Image 2

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3 - Product Image 3

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3 - Product Image 4

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3 - Product Image 5

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT Original Fournisseurs SPA20N60C3

0,4493 €

MOQ: 10

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 1

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 2

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 3

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 4

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 5

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C, Alimentation LCD

0,6911-1,04 €

MOQ: 2

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 1

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 2

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 3

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 4

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 5

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet - Product Image 6

Transistor MOSFET canal N IRF630NPBF TO-220AB Transistor à effet de champ composants électroniques mosfet

0,1296-0,2333 €

MOQ: 1

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 1

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 2

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 3

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 4

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 5

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406 - Product Image 6

Nouveau circuit intégré original AO4406A SOP8, transistor MOSFET AO4406

0,0346-0,0951 €

MOQ: 1

Transistor IGBT de puissance à canal N SQJ116EP-T1_GE3 100 V (D-S) à montage en surface pour composants de commutation d'onduleur TV Vishay PowerPAK - Product Image 1

Transistor IGBT de puissance à canal N SQJ116EP-T1_GE3 100 V (D-S) à montage en surface pour composants de commutation d'onduleur TV Vishay PowerPAK

0,5184-1,70 €

MOQ: 1

Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing - Product Image 1

Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing - Product Image 2

Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing - Product Image 3

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Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing - Product Image 5

Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing - Product Image 6

Original New BC846B Single Bipolar Transistors NPN 65V 0.1A SOT23-3 Electronic Components Bom Sourcing

0,0087-0,026 €

MOQ: 100

Transistor RF BC547 de type MOSFET pour applications sur circuits imprimés et de commutation - Product Image 1

Transistor RF BC547 de type MOSFET pour applications sur circuits imprimés et de commutation - Product Image 2

Transistor RF BC547 de type MOSFET pour applications sur circuits imprimés et de commutation - Product Image 3

Transistor RF BC547 de type MOSFET pour applications sur circuits imprimés et de commutation

0,1728 €

MOQ: 1