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Igbt transistor

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Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 1

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 2

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 3

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 4

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 5

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel - Product Image 6

Nouveau module de transistor Infineon FS225R12KE3 IGBT 1200V 225A triphasé pour la série IGBT3-E3 EconoPACK + paquet à usage industriel

260,20-737,22 €

quantité minimum: 1 pièce

Story Enterprise Limited

3 yrs

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 1

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 2

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 3

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 4

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 5

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD - Product Image 6

ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH40N60SMD

0,4509 €

quantité minimum: 10 pièces

ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED

1 yrs

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 1

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 2

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 3

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 4

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 5

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte - Product Image 6

Module d'origine neuf 7MBR50SB120-55 Transistor IGBT FUJI-ECMJ pour applications de pilote de porte

137,86 €

quantité minimum: 1 acre

GWENORA NON-SPECIALIZED WHOLESALE TRADING

1 yrs

PH

Transistor IGBT de puissance à canal N SQJ116EP-T1_GE3 100 V (D-S) à montage en surface pour composants de commutation d'onduleur TV Vishay PowerPAK - Product Image 1

Transistor IGBT de puissance à canal N SQJ116EP-T1_GE3 100 V (D-S) à montage en surface pour composants de commutation d'onduleur TV Vishay PowerPAK

0,5202-1,70 €

quantité minimum: 1 pièce

ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD

2 yrs

SG

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 1

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 2

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 3

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 4

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 5

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD

0,6936-1,05 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 1

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 2

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 3

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 4

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 5

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate - Product Image 6

Module Original Neuf Importé SKIIP32NAB12T49 FUJI Transistor IGBT Série 7MBR Application Pilote de Gate

211,55 €

quantité minimum: 1 acre

AVORA NON-SPECIALIZED WHOLESALE TRADING

1 yrs

PH

Module de puissance IGBT haute tension original CRRC TG900HF12H2-S300 1200V 900A pour systèmes industriels - Product Image 1

Module de puissance IGBT haute tension original CRRC TG900HF12H2-S300 1200V 900A pour systèmes industriels - Product Image 2

Module de puissance IGBT haute tension original CRRC TG900HF12H2-S300 1200V 900A pour systèmes industriels - Product Image 3

Module de puissance IGBT haute tension original CRRC TG900HF12H2-S300 1200V 900A pour systèmes industriels - Product Image 4

Module de puissance IGBT haute tension original CRRC TG900HF12H2-S300 1200V 900A pour systèmes industriels

220,31-255,56 €

quantité minimum: 5 pièces

STANDING DESK TECHNOLOGY VIETNAM CO., LTD

1 yrs

VN

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 1

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 2

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 3

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 4

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 5

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte - Product Image 6

Module de puissance IGBT neuf, série SKIIP83HEC125T1, boîtier 7MBR, température de fonctionnement 20-80°C pour pilote de porte

317,58 €

quantité minimum: 1 acre

CONG TY TNHH VINFINITE RESOURCES

1 yrs

VN