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Nouveau et original DXG30N65HS Transistor IGBT / Module vente entière fournisseur de puces de composants électroniques et Service de nomenclature - Product Image 1

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Nouveau et original DXG30N65HS Transistor IGBT / Module vente entière fournisseur de puces de composants électroniques et Service de nomenclature

0,0849-0,4242 €

quantité minimum: 1

Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 1

Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 2

Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 3

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Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T - Product Image 5

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Transistor IGBT de haute qualité JMY K60T60 TO-247 60A 600V pour soudeuse à onduleur, transistors TO247-3 K60T60 IKW60N60T

0,5939-0,6788 €

quantité minimum: 25

MODULE IGBT 1200V 50A 284W GB35XF120K Module neuf d'origine, condensateurs de circuit, résistances, diodes à cristal, BOM - Product Image 1

MODULE IGBT 1200V 50A 284W GB35XF120K Module neuf d'origine, condensateurs de circuit, résistances, diodes à cristal, BOM - Product Image 2

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MODULE IGBT 1200V 50A 284W GB35XF120K Module neuf d'origine, condensateurs de circuit, résistances, diodes à cristal, BOM - Product Image 4

MODULE IGBT 1200V 50A 284W GB35XF120K Module neuf d'origine, condensateurs de circuit, résistances, diodes à cristal, BOM - Product Image 5

MODULE IGBT 1200V 50A 284W GB35XF120K Module neuf d'origine, condensateurs de circuit, résistances, diodes à cristal, BOM

quantité minimum: 1

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 1

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 2

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 3

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 4

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 5

Module IGBT Hitachi Energy 5SNA 1600N170300 HiPak 1700V 1600V à fixation par vis, isolation 4000V pour traction MVD HVDC FACTS éolien - Product Image 6

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42,42-84,84 €

quantité minimum: 1

ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs STH2N120K5-2AG - Product Image 1

ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs STH2N120K5-2AG - Product Image 2

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ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs STH2N120K5-2AG - Product Image 4

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ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs STH2N120K5-2AG

quantité minimum: 10

Nouveau module IGBT double Infineon Type FF1200R12KE3 1200V 1200A Montage à vis Emballage standard - Product Image 1

Nouveau module IGBT double Infineon Type FF1200R12KE3 1200V 1200A Montage à vis Emballage standard - Product Image 2

Nouveau module IGBT double Infineon Type FF1200R12KE3 1200V 1200A Montage à vis Emballage standard

quantité minimum: 1

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 1

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 2

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 3

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 4

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 5

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE - Product Image 6

Inf-ineon FS75R06KE3 tout nouveau tube/module IGBT importé d'origine avec température de fonctionnement de-50C à 150C certifié ISO CE

0,6788-0,8484 €

quantité minimum: 1

BCP53MTWG PNP 80V 1A 130MHz 875mW Transistor bipolaire à montage en surface flanc mouillable 3-WDFNW (2x2) MOSFET IGBT IC pour PCB - Product Image 1

BCP53MTWG PNP 80V 1A 130MHz 875mW Transistor bipolaire à montage en surface flanc mouillable 3-WDFNW (2x2) MOSFET IGBT IC pour PCB

0,1782-0,6703 €

quantité minimum: 1