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Transistor de puissance mosfet

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Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 1

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 2

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 3

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 4

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C

0,7202-1,09 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 1

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 2

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 3

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 4

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 5

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant - Product Image 6

NOVA Nouveau Original 2SC5200 2SA1943 Transistor de puissance MOSFET 60V 500mA TO-92 Composants électroniques à montage traversant

1,18 €

quantité minimum: 100 pièces

IC ONLINE CO., LIMITED

3 yrs

HK

Transistor IRF5305STRLPBF DPAK-2 MOSFET de puissance MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC Montage en surface Contrôle et commutation de puissance - Product Image 1

Transistor IRF5305STRLPBF DPAK-2 MOSFET de puissance MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC Montage en surface Contrôle et commutation de puissance

0,9453-2,90 €

quantité minimum: 1 pièce

ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD

2 yrs

SG

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 1

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 2

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 3

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 4

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 5

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 6

Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine)

0,3421-0,3511 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Transistor MOSFET de puissance Jeking FR3710Z IRFR3710ZTRPBF - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance Jeking FR3710Z IRFR3710ZTRPBF - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance Jeking FR3710Z IRFR3710ZTRPBF - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance Jeking FR3710Z IRFR3710ZTRPBF - Product Image 4

Transistor MOSFET de puissance Jeking FR3710Z IRFR3710ZTRPBF

5,95-7,89 €

quantité minimum: 10 pièces

Jeking Electronic Limited

1 yrs

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 1

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 2

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces

0,1801 €

quantité minimum: 1 000 pièces

HK STORY ENTERPRISE LIMITED

2 yrs

Mosfet de puissance 100V 180A Transistor TO-220 Canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 1

Mosfet de puissance 100V 180A Transistor TO-220 Canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 2

Mosfet de puissance 100V 180A Transistor TO-220 Canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 3

Mosfet de puissance 100V 180A Transistor TO-220 Canal N DTP18100 Irfb4110

0,4502 €

quantité minimum: 1 pièce

Miasea Trading Co., Limited

1 yrs

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 1

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 2

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 3

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12

0,6662 €

quantité minimum: 1 pièce

Xiongshengxin Electronic Technology (Hong Kong) Co., Limited

1 yrs

HK