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Mosfet de puissance

(999+ produits disponibles)

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 1

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 2

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Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 4

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C

0,69-1,04 €

MOQ: 2

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 1

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces - Product Image 2

NOUVEAU en stock PSMN2R4 30YLD Transistor MOSFET de puissance 30V 100A Sans halogène Conforme RoHS Origine Malaisie Carton de 1500 pièces

0,1725 €

MOQ: 1

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 4

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Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C

0,0087-0,0259 €

MOQ: 1

Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 1

Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 2

Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110 - Product Image 3

Puissance Mosfet 100V 180A Transistor TO-220 canal N DTP18100 Irfb4110

0,4313 €

MOQ: 1

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 1

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 2

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 3

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 4

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 5

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine - Product Image 6

MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine

0,1035-0,1553 €

MOQ: 3

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 1

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 2

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 3

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 4

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 5

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2 - Product Image 6

MOSFET de puissance de haute qualité - Circuit intégré à canal N 40V pour équipement électronique HYG011N04LS2C2

0,1725 €

MOQ: 1

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 1

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 2

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 3

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 4

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 5

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original - Product Image 6

Transistor MOS de puissance à canal N NCE3050, insertion directe TO-220, 30V/50A, neuf et original

0,0087-0,0863 €

MOQ: 5

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 4

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 5

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF - Product Image 6

Transistor MOSFET de puissance IRFP90N20D IRFP4468 IRFP3710PBF IRFP27N60KPBF

0,0173 €

MOQ: 1