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Puissance transistor

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TIP42C TO-220 BJT transistor bipolaire de puissance PNP 9A 100V 65W Original instock Through Hole Discret Device - Product Image 1

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TIP42C TO-220 BJT transistor bipolaire de puissance PNP 9A 100V 65W Original instock Through Hole Discret Device - Product Image 6

TIP42C TO-220 BJT transistor bipolaire de puissance PNP 9A 100V 65W Original instock Through Hole Discret Device

0,1694-0,3258 €

quantité minimum: 1 pièce

HONGKONG SMARE TRADING LIMITED

1 yrs

NGTB10N60R2DT4G Composants électroniques neufs et originaux IGBT 600V 20A DPAK - Product Image 1

NGTB10N60R2DT4G Composants électroniques neufs et originaux IGBT 600V 20A DPAK - Product Image 2

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NGTB10N60R2DT4G Composants électroniques neufs et originaux IGBT 600V 20A DPAK - Product Image 6

NGTB10N60R2DT4G Composants électroniques neufs et originaux IGBT 600V 20A DPAK

1,60 €

quantité minimum: 1 pièce

KotenchipTechnology Co., Limited

1 yrs

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 1

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 2

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12 - Product Image 3

Transistor à effet de champ MOSFET à canal N NCEP12T12

0,6395 €

quantité minimum: 1 pièce

Xiongshengxin Electronic Technology (Hong Kong) Co., Limited

1 yrs

HK

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 1

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 2

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 3

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 4

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 5

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 6

IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450

30,25-51,85 €

quantité minimum: 1 pièce

HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED

1 yrs

Transistor IGBT Neuf et Original Jekevi SVF23N50PN 23N50 Canal N 23A 500V Transistor à Effet de Champ Haute Puissance MOSFET - Product Image 1

Transistor IGBT Neuf et Original Jekevi SVF23N50PN 23N50 Canal N 23A 500V Transistor à Effet de Champ Haute Puissance MOSFET - Product Image 2

Transistor IGBT Neuf et Original Jekevi SVF23N50PN 23N50 Canal N 23A 500V Transistor à Effet de Champ Haute Puissance MOSFET - Product Image 3

Transistor IGBT Neuf et Original Jekevi SVF23N50PN 23N50 Canal N 23A 500V Transistor à Effet de Champ Haute Puissance MOSFET - Product Image 4

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Transistor IGBT Neuf et Original Jekevi SVF23N50PN 23N50 Canal N 23A 500V Transistor à Effet de Champ Haute Puissance MOSFET

0,1037 €

quantité minimum: 10 pièces

Jekevi Electronics Limited

1 yrs

HK

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH - Product Image 1

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH - Product Image 2

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH - Product Image 3

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH - Product Image 4

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH - Product Image 5

Module de commande de puissance à installation sur base, type chopper, à double canal, avec transistor IGBT simple Mitsubishi CM300DU-24NFH

89,83 €

quantité minimum: 2 pièces

ZZRS INDUSTRY LIMITED

1 yrs

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 1

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 2

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 3

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 4

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 5

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock - Product Image 6

Transistors MOSFET International Rectifier JANTX2N7218, boîtier TO-254AAA, Arsenide de Gallium, 100V, puissance 20+, en stock

103,69-112,33 €

quantité minimum: 1 pièce

Story Enterprise Limited

3 yrs

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 1

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 2

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 3

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 4

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 5

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N - Product Image 6

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 transistor à effet de champ MOS canal N

0,4321-0,8641 €

quantité minimum: 5 pièces

SOUTHERN ELECTRONICS TECH LIMITED

2 yrs

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