All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Sic c

(999+ produits disponibles)

$Bille plate en céramique réfractaire haute température DN 90x50 pour usage industriel - Product Image 1$

$Bille plate en céramique réfractaire haute température DN 90x50 pour usage industriel - Product Image 2$

$Bille plate en céramique réfractaire haute température DN 90x50 pour usage industriel - Product Image 3$

Bille plate en céramique réfractaire haute température DN 90x50 pour usage industriel

4,59 €

MOQ: 10

$Sceau D.8 pour l'art. Composant réfractaire 134-006 3/8 - 1/2 - Product Image 1$

$Sceau D.8 pour l'art. Composant réfractaire 134-006 3/8 - 1/2 - Product Image 2$

$Sceau D.8 pour l'art. Composant réfractaire 134-006 3/8 - 1/2 - Product Image 3$

Sceau D.8 pour l'art. Composant réfractaire 134-006 3/8 - 1/2

0,0962 €

MOQ: 10

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 1

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 2

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 3

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 4

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 5

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs - Product Image 6

WOBO Carbure de silicium SIC résistant aux acides et aux bases 99,5% Carbure cémenté Grain vert Point de fusion 2700°C Traitement des matériaux durs

0,778-1,27 €

MOQ: 1

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 1

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 2

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 3

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 4

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 5

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion - Product Image 6

Disque de guidage de flux en céramique de carbure de silicium fritté (SSiC) pour pompes | Composant interne de pompe en SiC résistant à l'usure et à la corrosion

87,42-104,90 €

MOQ: 1

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 1

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 2

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 3

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 4

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 5

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7 - Product Image 6

In Stock Transistors UF3SC065030B7S Electronic Ic Components 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C D2PAK-7

5,08-10,16 €

MOQ: 100

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 1

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 2

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 3

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 4

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 5

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur - Product Image 6

WOBO Nouvelle Technologie Composé de rodage au carbure de silicium Haute Pureté 99% Poudre de SiC Nano Point de fusion 2700°C Matériau Dur

0,778-1,27 €

MOQ: 1

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 1

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 2

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 3

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 4

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 5

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple - Product Image 6

MOSFET industriel en carbure de silicium (SiC) Infineon IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm, boîtier TO-220-3, -55°C~175°C, 113,5W, FET simple

0,4371-1,14 €

MOQ: 1

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 1

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 2

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 3

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 4

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 5

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique - Product Image 6

Manchon d'étanchéité en carbure de silicium fritté de haute précision Ace (Sic/Ssic/Rbsic) pour pompes à entraînement magnétique

1 223,82-1 311,24 €

MOQ: 1