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Transistor de puissance fonctionnement

(999+ produits disponibles)

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C

0,7207-1,09 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

Transistor MOSFET de puissance N-canal 20V CSD15571Q2 WSON-6 à montage en surface pour contrôle de puissance et commutation, température de fonctionnement -55 à +150°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance N-canal 20V CSD15571Q2 WSON-6 à montage en surface pour contrôle de puissance et commutation, température de fonctionnement -55 à +150°C

0,1442-0,5586 €

quantité minimum: 1 pièce

ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD

2 yrs

SG

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 1

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 2

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 3

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 4

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 5

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard - Product Image 6

HYG025N10 HKST MOSFET à canal N TO-220FB-3L 100V 270A Faible Rds(on) Transistor de puissance à température de fonctionnement standard

0,4505-0,6306 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 1

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 2

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 3

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 4

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 5

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C - Product Image 6

Transistor N-Channel Jekevi 2SA1930 TO-220 d'origine pour applications d'amplificateurs de puissance - Température de fonctionnement de -55 à +150°C

0,4505 €

quantité minimum: 10 pièces

Jekevi Electronics Limited

1 yrs

HK

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 1

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 2

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 3

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 4

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 5

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire - Product Image 6

Transistor d'origine CZChips NJW0302G NJW0281G 230V 15A 150W 30MHz TO-3P-3L à trou traversant NPN Transistor de puissance bipolaire

0,001-0,0091 €

quantité minimum: 1 pièce

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

3 yrs

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 1

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 2

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 3

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 4

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 5

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C - Product Image 6

Transistors MOSFET N-CH 40V 195A IRFB7437PBF d'origine, boîtier TO-220-3, puissance 230W, température de fonctionnement de -55°C à 155°C

0,3424 €

quantité minimum: 50 pièces

IC ONLINE CO., LIMITED

3 yrs

HK

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 1

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 2

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 3

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 4

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 5

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance - Product Image 6

Composants électroniques, commutation haute tension, 2SK953 2SK954 2SK955 2SK3557-6-TB-E 800V 5A N Transistor MOSFET de puissance

0,2973 €

quantité minimum: 10 pièces

SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 1

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 2

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 3

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 4

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 5

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant - Product Image 6

Transistor de puissance IGBT STGW80H65DFB 120A 650V TO-247 haute vitesse, neuf, composant électronique à montage traversant

1,76 €

quantité minimum: 1 pièce

ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.

1 yrs

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