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Transistor de puissance

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Transistor de puissance NPN 2SD313 TO-220 D313, amplificateur triode 60V 3A, composant électronique - Product Image 1
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Transistor de puissance NPN 2SD313 TO-220 D313, amplificateur triode 60V 3A, composant électronique

0,1801-0,9091 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(26)
Transistor de puissance GaN HEMT SMD LMG2100R026 à large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de puissance GaN HEMT SMD LMG2100R026 à large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

1,80-9 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance MOSFET NPN MJE13001 13001 DIP TO-92 400V 0,2A - Product Image 1
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Transistor de puissance MOSFET NPN MJE13001 13001 DIP TO-92 400V 0,2A

0,8911 €
quantité minimum: 10 pièces
MRCSS LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Transistor de puissance MOSFET NPN MJE13001 13001 DIP TO-92 400V 0,2A - Product Image 1
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Transistor de puissance MOSFET NPN MJE13001 13001 DIP TO-92 400V 0,2A

0,1801-0,8911 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(26)
LFPAK56, Power-SO8 Original One Stop Service Transistors Electronics Component PSMN0R9-30ULD/2X - Product Image 1
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LFPAK56, Power-SO8 Original One Stop Service Transistors Electronics Component PSMN0R9-30ULD/2X - Product Image 6

LFPAK56, Power-SO8 Original One Stop Service Transistors Electronics Component PSMN0R9-30ULD/2X

0,2611-0,5131 €
quantité minimum: 100 pièces
5Chips Tech Limited
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor IGBT GT30J124 TO-247 1200V 30A, semi-conducteur de puissance - Product Image 1
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Transistor IGBT GT30J124 TO-247 1200V 30A, semi-conducteur de puissance

0,8911-9 €
quantité minimum: 1 pièce
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistors BUK7Y7R6-40EX LFPAK56, composants électroniques IC d'origine Power-SO8 - Product Image 1
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Transistors BUK7Y7R6-40EX LFPAK56, composants électroniques IC d'origine Power-SO8 - Product Image 4
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Transistors BUK7Y7R6-40EX LFPAK56, composants électroniques IC d'origine Power-SO8 - Product Image 6

Transistors BUK7Y7R6-40EX LFPAK56, composants électroniques IC d'origine Power-SO8

4,87-9,73 €
quantité minimum: 100 pièces
HuanWing International HongKong Technology Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 1
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 2
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 3
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 4
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 5
Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension - Product Image 6

Transistor de puissance à large écartement de puissance (SiC MOSFET) LSIC1MO170E0750, 1700V haute tension

0,8911-9 €
quantité minimum: 1 pièce
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)

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