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Transistor de puissance

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Transistor de puissance à large écartement de fréquences IMW65R070M1H SiC MOSFET 650V à haute stabilité - Product Image 1
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Transistor de puissance à large écartement de fréquences IMW65R070M1H SiC MOSFET 650V à haute stabilité

0,8911-9 €
quantité minimum: 1 pièce
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Electronic Chips Component LFPAK56, Power-SO8 Transistors BUK7Y15-100EX Original One Stop Service - Product Image 1
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Electronic Chips Component LFPAK56, Power-SO8 Transistors BUK7Y15-100EX Original One Stop Service

0,2971-0,5941 €
quantité minimum: 100 pièces
5Chips Tech Limited
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Achetez des composants électroniques en ligne LFPAK56 ; Transistors Power-SO8 PSMN1R6-40YLC:115 – Canal Fabricant - Product Image 1
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Achetez des composants électroniques en ligne LFPAK56 ; Transistors Power-SO8 PSMN1R6-40YLC:115 – Canal Fabricant

0,3781-0,7561 €
quantité minimum: 100 pièces
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Transistor de contrôle industriel VS1401ATH N-Channel Power MOSFET 100V 200A TO-220 - Product Image 1
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Transistor de contrôle industriel VS1401ATH N-Channel Power MOSFET 100V 200A TO-220

0,3691-0,7381 €
quantité minimum: 5 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
PH9030L,115 LFPAK56, Power-SO8 Transistors Electronic Chips Component Original One Stop Service - Product Image 1
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PH9030L,115 LFPAK56, Power-SO8 Transistors Electronic Chips Component Original One Stop Service

0,1351-0,2701 €
quantité minimum: 100 pièces
5Chips Tech Limited
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor IGBT haute puissance SUNFON SGT40N60NPFDPN 40N60NPFD TO-3P 40N60 - Product Image 1
Transistor IGBT haute puissance SUNFON SGT40N60NPFDPN 40N60NPFD TO-3P 40N60 - Product Image 2
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Transistor IGBT haute puissance SUNFON SGT40N60NPFDPN 40N60NPFD TO-3P 40N60 - Product Image 4
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Transistor IGBT haute puissance SUNFON SGT40N60NPFDPN 40N60NPFD TO-3P 40N60 - Product Image 6

Transistor IGBT haute puissance SUNFON SGT40N60NPFDPN 40N60NPFD TO-3P 40N60

0,6481-0,6661 €
quantité minimum: 3 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 3
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 4
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 5
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT EPC2088 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

0,8911-9 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Composants électroniques BUK9Y58-75B 115, LFPAK56, Power-SO8, transistors disponibles - Product Image 1
Composants électroniques BUK9Y58-75B 115, LFPAK56, Power-SO8, transistors disponibles - Product Image 2
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Composants électroniques BUK9Y58-75B 115, LFPAK56, Power-SO8, transistors disponibles - Product Image 4
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Composants électroniques BUK9Y58-75B 115, LFPAK56, Power-SO8, transistors disponibles

3,97-7,86 €
quantité minimum: 100 pièces
HuanWing International HongKong Technology Limited
1 yrsHK flagHK

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