All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Transistor de puissance

(999+ produits disponibles)

Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 1
Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 2
Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 3
Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 4
Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 5
Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX - Product Image 6

Kit de transistors de service BOM, composants électroniques LFPAK56, Power-SO8 BUK7Y7R0-40HX

4-7,99 €
quantité minimum: 100 pièces
HuanWing International HongKong Technology Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 1
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 2
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 3
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 4
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 5
Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode - Product Image 6

Transistor de puissance audio NJW0281G NJW0302G TO-220 pour amplificateur triode

0,4529-0,8968 €
quantité minimum: 15 pièces
Meratech Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 1
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 2
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 3
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 4
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 5
Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG - Product Image 6

Transistor de puissance SiC MOSFET 1200V à montage traversant SCT019H120G3AG

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 3
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 4
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 5
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT EPC2206 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 1
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 2
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 3
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 4
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 5
LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales - Product Image 6

LFPAK56, Transistors Power-SO8 BUK7Y14-80EX, composants électroniques, puces originales

0,5254-1,05 €
quantité minimum: 100 pièces
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 3
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 4
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 5
Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT NV6125 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 3
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 4
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 5
Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT NV6245 SMD, interrupteur de puissance à large écartement de bande haute vitesse, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 3
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 4
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 5
Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT SMD GANC050-650TBH 650V à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

1,81-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)

Recherches associées:

w1350aa605fpng transparence85a ce285air 780test transistor npnigbt ou mosfettransistor bluetooth501 32 3050 to 60 hzws c2960xr 24ts i1c stytj01zhm3va2225puissance transistor2sc1815 smdl2h2 trafictransistor tip122transistor année 60501 34 32transfomer 4