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Transistor de puissance

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Composants électroniques MP40N65BU 40A650V Transistor IGBT universel haute puissance MP40N65 - Product Image 1
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Composants électroniques MP40N65BU 40A650V Transistor IGBT universel haute puissance MP40N65

2,71-2,99 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(26)
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2106 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de puissance GaN HEMT EPC2106 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT EPC2106 SMD, haute fréquence, large écart de niveau, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
C4MS025120U2 SiC MOSFET 1200V 25mΩ SMD Transistor de puissance en carbure de silicium Composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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C4MS025120U2 SiC MOSFET 1200V 25mΩ SMD Transistor de puissance en carbure de silicium Composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 1 pièce
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IXYL50N170CV1 Transistor de puissance IGBT à canal N 1700V 50A TO247 Ultra Haute Tension - Product Image 1
IXYL50N170CV1 Transistor de puissance IGBT à canal N 1700V 50A TO247 Ultra Haute Tension - Product Image 2
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IXYL50N170CV1 Transistor de puissance IGBT à canal N 1700V 50A TO247 Ultra Haute Tension

0,8968-9,05 €
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2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2033 SMD, haute fréquence, large écart de potence, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2033 SMD, haute fréquence, large écart de potence, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 2
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Transistor MOSFET IRFP3206PBF IRFP3206 TO-247 120A 60V N de puissance élevée pour commande de moteur et onduleur - Product Image 1
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0,299 €
quantité minimum: 10 pièces
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1 yrsHK flagHK
Transistor de commutation de puissance MOSFET à canal N D2N102LE SMD, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de commutation de puissance MOSFET à canal N D2N102LE SMD, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
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2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 1
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 2
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 3
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 4
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 5
Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD - Product Image 6

Transistor de puissance à faible perte NVHL040N120SC1 IGBT canal N 1200V 40A SMD

1,81-9,05 €
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2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)

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