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Transistor de puissance

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IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 1
IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450 - Product Image 2
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IXYX40N450HV 40N450 TO-247 40A4500V 660W Transistor haute puissance IXYX40N450

31,71-54,35 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(26)
MOSFET de puissance SiC 1200V, discret, 100A, 20 milliohms, canal N, transistor MOSFET, boîtier TO-247-4, pour alimentations à découpage - Product Image 1
MOSFET de puissance SiC 1200V, discret, 100A, 20 milliohms, canal N, transistor MOSFET, boîtier TO-247-4, pour alimentations à découpage - Product Image 2
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MOSFET de puissance SiC 1200V, discret, 100A, 20 milliohms, canal N, transistor MOSFET, boîtier TO-247-4, pour alimentations à découpage

5,44 €
quantité minimum: 1 pièce
Meratech Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance GaN HEMT LMG3614 SMD à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de puissance GaN HEMT LMG3614 SMD à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité - Product Image 6

Transistor de puissance GaN HEMT LMG3614 SMD à large écartement d'énergie, interrupteur de puissance, composant électronique de haute qualité

1,81-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Composants authentiques garantis FCH104N60F MOS TO-247 Transistor haute puissance - Product Image 1
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Composants authentiques garantis FCH104N60F MOS TO-247 Transistor haute puissance - Product Image 3
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Composants authentiques garantis FCH104N60F MOS TO-247 Transistor haute puissance

0,299 €
quantité minimum: 10 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance GaN HEMT EPC2065 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute fréquence, composant électronique de haute qualité - Product Image 1
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Transistor de puissance GaN HEMT EPC2065 SMD, semi-conducteur à large écart de bande haute fréquence, composant électronique de haute qualité

0,8968-9,05 €
quantité minimum: 10 pièces
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Service de devis pour composants électroniques : Transistors BUK7Y65-100EX LFPAK56, Power-SO8 et accessoires - Product Image 1
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Service de devis pour composants électroniques : Transistors BUK7Y65-100EX LFPAK56, Power-SO8 et accessoires - Product Image 3
Service de devis pour composants électroniques : Transistors BUK7Y65-100EX LFPAK56, Power-SO8 et accessoires - Product Image 4
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Service de devis pour composants électroniques : Transistors BUK7Y65-100EX LFPAK56, Power-SO8 et accessoires

4,90-9,79 €
quantité minimum: 100 pièces
HuanWing International HongKong Technology Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor haute puissance 28A 1700V 5570 2SC5570 C5570 SC5570 - Product Image 1
Transistor haute puissance 28A 1700V 5570 2SC5570 C5570 SC5570 - Product Image 2
Transistor haute puissance 28A 1700V 5570 2SC5570 C5570 SC5570 - Product Image 3
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Transistor haute puissance 28A 1700V 5570 2SC5570 C5570 SC5570 - Product Image 6

Transistor haute puissance 28A 1700V 5570 2SC5570 C5570 SC5570

0,299 €
quantité minimum: 10 pièces
SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
Amplificateur de puissance en silicium TIP42C TO-220 Transistor bipolaire NPN/PNP à traversage de trou - Product Image 1
Amplificateur de puissance en silicium TIP42C TO-220 Transistor bipolaire NPN/PNP à traversage de trou - Product Image 2
Amplificateur de puissance en silicium TIP42C TO-220 Transistor bipolaire NPN/PNP à traversage de trou - Product Image 3
Amplificateur de puissance en silicium TIP42C TO-220 Transistor bipolaire NPN/PNP à traversage de trou - Product Image 4

Amplificateur de puissance en silicium TIP42C TO-220 Transistor bipolaire NPN/PNP à traversage de trou

5,44 €
quantité minimum: 1 pièce
Meratech Limited
1 yrsHK flagHK

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