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Transistor mosfet de puissance

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Transistor MOSFET 120n03 150n03 150A 30V TO-220 TO-252, tube MOS, MOSFET de puissance 150 ampères, 150n03 - Product Image 1
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Transistor MOSFET 120n03 150n03 150A 30V TO-220 TO-252, tube MOS, MOSFET de puissance 150 ampères, 150n03 - Product Image 6

Transistor MOSFET 120n03 150n03 150A 30V TO-220 TO-252, tube MOS, MOSFET de puissance 150 ampères, 150n03

0,094-0,1111 €
Commande minimum: 50 pièces
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 1
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 2
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 3
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 4
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 5
Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926 - Product Image 6

Transistor RD15HV RD15HVE1, composant MOSFET de puissance à canal N haute tension | RD15HVF1 B926

1,70-6,77 €
Commande minimum: 1 pièce
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 1
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 2
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 3
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 4
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 5
Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio. - Product Image 6

Transistor de puissance PNP 2SA1943 15A 150W, Triode, boîtier TO-3PL, température de fonctionnement -40°C à 150°C, neuf et original, pour applications audio.

0,5125-0,6834 €
Commande minimum: 2 pièces
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 1
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 2
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 3
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 4
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 5
MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé - Product Image 6

MOSFET 2,2 MHz large bande VIN 1,5 A pour la gestion de l'alimentation (PMIC) – Service complet original LM5155QUDSSRQ1 12 WFDFN à pad exposé

0,4869-0,9482 €
Commande minimum: 1 pièce
D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component - Product Image 1
D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component - Product Image 2
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D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component - Product Image 4
D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component - Product Image 5
D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component - Product Image 6

D2PAK N-CHANNEL POWER MOSFET Transistors Original SSW2N60BTM Electronic Chips Component

0,1025-0,1965 €
Commande minimum: 100 pièces
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 1
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 2
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 3
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 4
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 5
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 6

CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03

0,0009-0,0086 €
Commande minimum: 1 pièce
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 1
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 2
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 3
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 4
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 5
Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine - Product Image 6

Nouveau transistor MOSFET de puissance haute performance IRF1404PBF TO-220AB canal N 40V 202A d'origine

0,299-0,3417 €
Commande minimum: 10 pièces
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 1
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 2
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 3
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 4
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 5
Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145 - Product Image 6

Transistor de puissance MOSFET N-canal IPW60R099 650V IC TO-247 à haute efficacité pour commutation, puce IPW60R099C6 A145

0,9823-3,97 €
Commande minimum: 1 pièce

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