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Transistor poste

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Transistor Darlington B834 2SB834 B834-Y TIP127 TO-220 à usage général à montage traversant JMY - Product Image 1
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Transistor Darlington B834 2SB834 B834-Y TIP127 TO-220 à usage général à montage traversant JMY

0,0694-0,0954 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 1
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 2
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 3
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 4
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 5
40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT - Product Image 6

40N60NPFD SGT40N60NPFD TO-3P 600V 40A IGBT

0,5285-0,5372 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
IRFB3207PBF IRFB3207 TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 75V/180A à insertion directe - Product Image 1
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IRFB3207PBF IRFB3207 TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 75V/180A à insertion directe - Product Image 6

IRFB3207PBF IRFB3207 TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 75V/180A à insertion directe

0,3293-0,4766 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor TO-220F CZChips FQF20N60 20A 600V - Product Image 1
Transistor TO-220F CZChips FQF20N60 20A 600V - Product Image 2
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Transistor TO-220F CZChips FQF20N60 20A 600V - Product Image 5
Transistor TO-220F CZChips FQF20N60 20A 600V - Product Image 6

Transistor TO-220F CZChips FQF20N60 20A 600V

0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(13)
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 1
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 2
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 3
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 4
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 5
IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010 - Product Image 6

IRF1010E IRF1010EPBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 60V/81A à insertion directe 1010

0,3553-0,3726 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 1
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 2
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 3
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 4
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 5
Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle - Product Image 6

Transistor IGBT FGY160T65SPD 650V 160A Trench Field Stop, boîtier TO-247, -55°C~+150°C, pour onduleur, machine à souder industrielle

0,9964-1,03 €
quantité minimum: 1 pièce
Hongte Technology Limited
1 yrsHK flagHK
IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET) - Product Image 1
IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET) - Product Image 2
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IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET) - Product Image 4
IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET) - Product Image 5
IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET) - Product Image 6

IRFR5305TR FR5305 TO-252 60V/30A Transistor à effet de champ à canal P (MOSFET)

0,0867-0,1733 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 1
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 2
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 3
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 4
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 5
Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel - Product Image 6

Transistor de puissance IGBT FGH75T65 TO-247 SMD à trois broches traversant le circuit pour contrôle industriel

0,8491-0,8664 €
quantité minimum: 1 pièce
Hongte Technology Limited
1 yrsHK flagHK