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Transistor poste

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Transistor à effet de champ pour alimentation à découpage OSG60R099HSZ TO-247 37A 650V - Product Image 1
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Transistor à effet de champ pour alimentation à découpage OSG60R099HSZ TO-247 37A 650V

0,7451-0,7538 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
CZChips D3N60 3A 600V TO-252 Mosfet 60U65fd1 P7 Potencia Igbt Transistores A1015 D3N60 Transistors Pour Imprimantes Epson 1430 - Product Image 1
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0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(13)
CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60 - Product Image 1
CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60 - Product Image 2
CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60 - Product Image 3
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CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60 - Product Image 5
CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60 - Product Image 6

CZChips 20N60 20A 600V TO-220 Transistor 2P4m 3Dd13009 Lgbt Mosfet 2 Sa1020 à 92 D882p Ms1051 Rf Transistor 20N60

0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(13)
Transistor à effet de champ IRFP360 IRFP360PBF TO-247, canal N, 400V/23A - Product Image 1
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Transistor à effet de champ IRFP360 IRFP360PBF TO-247, canal N, 400V/23A - Product Image 6

Transistor à effet de champ IRFP360 IRFP360PBF TO-247, canal N, 400V/23A

0,3466-0,3726 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine) - Product Image 1
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Transistor de puissance MOSFET FQA20N60 HKST 20A 600V TO3P (Chine)

0,3293-0,3379 €
quantité minimum: 10 pièces
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1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS - Product Image 1
Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS - Product Image 2
Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS - Product Image 3
Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS - Product Image 4
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Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS - Product Image 6

Transistor MOSFET de puissance à canal N MPG80N08P MPG80N08 80N08 80V 80A TO220 à faible Rds(on) pour contrôleur EV BMS

0,1733-0,3466 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
CZChips GBJ1508 15A 800V Transistor de puissance Rf Mitsubishi Transistores Igbt Mosfet Transistor GBJ1508 - Product Image 1
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CZChips GBJ1508 15A 800V Transistor de puissance Rf Mitsubishi Transistores Igbt Mosfet Transistor GBJ1508 - Product Image 6

CZChips GBJ1508 15A 800V Transistor de puissance Rf Mitsubishi Transistores Igbt Mosfet Transistor GBJ1508

0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(13)
Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50 - Product Image 1
Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50 - Product Image 2
Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50 - Product Image 3
Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50 - Product Image 4
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Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50 - Product Image 6

Transistor haute fréquence 2SC3358, sérigraphie 3358, boîtier TO-50

0,3986-0,4072 €
quantité minimum: 10 pièces
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1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)