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Transistor puissance

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Transistor de puissance HT HY1904C2 MOSFET à montage en surface, boîtier PPAK-8L(5x6), 40V/65A 48W 5.1m - Product Image 1

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0,1262-0,1442 €

quantité minimum: 1 pièce

Hongte Technology Limited

1 yrs

HK

Composants électroniques SUNFON Transistors de puissance NCE80TD65BT IGBT TO-247 650V 80A NCE80TD65 - Product Image 1

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0,3874-0,5947 €

quantité minimum: 2 pièces

SUNFON INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

Transistor de puissance RF LDMOS Ampleon BLF188XR d'origine, 1400W, 50V à 600MHz, SOT539A, 100% neuf, fabriqué au Japon - Product Image 1

Transistor de puissance RF LDMOS Ampleon BLF188XR d'origine, 1400W, 50V à 600MHz, SOT539A, 100% neuf, fabriqué au Japon - Product Image 2

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Transistor de puissance RF LDMOS Ampleon BLF188XR d'origine, 1400W, 50V à 600MHz, SOT539A, 100% neuf, fabriqué au Japon - Product Image 4

Transistor de puissance RF LDMOS Ampleon BLF188XR d'origine, 1400W, 50V à 600MHz, SOT539A, 100% neuf, fabriqué au Japon

63,07-189,20 €

quantité minimum: 5 pièces

ROSA Goods Global Inc

1 yrs

US

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 1

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 2

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 3

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 4

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 5

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V - Product Image 6

Transistor amplificateur de puissance en paire MJL21194 TO264 NPN 16A250V

0,7208-0,7388 €

quantité minimum: 10 pièces

HK SENTE ELECTRONICS LIMITED

1 yrs

Diodes et Transistors Icschip IPA60R180P7S TO-220F Ultra-rapides à récupération douce, neufs - Product Image 1

Diodes et Transistors Icschip IPA60R180P7S TO-220F Ultra-rapides à récupération douce, neufs - Product Image 2

Diodes et Transistors Icschip IPA60R180P7S TO-220F Ultra-rapides à récupération douce, neufs - Product Image 3

Diodes et Transistors Icschip IPA60R180P7S TO-220F Ultra-rapides à récupération douce, neufs - Product Image 4

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Diodes et Transistors Icschip IPA60R180P7S TO-220F Ultra-rapides à récupération douce, neufs

0,1983-1,71 €

quantité minimum: 10 pièces

ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.

1 yrs

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 1

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 2

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 3

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 4

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 5

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique - Product Image 6

Transistor à effet de champ MOSFET IRFP064NPBF IRFP064N TO-247 à montage en surface 55V/110A authentique

0,946 €

quantité minimum: 10 pièces

ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.

1 yrs

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 1

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 2

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 3

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 4

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 5

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct - Product Image 6

IRF740PBF TO-220 Transistor à effet de champ MOSFET à canal N 400V/10A à branchement direct

0,2883 €

quantité minimum: 1 pièce

ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.

1 yrs

P-MOSFET HS2242TRPBF Transistor à effet de champ PQFN-6-EP - Product Image 1

P-MOSFET HS2242TRPBF Transistor à effet de champ PQFN-6-EP - Product Image 2

P-MOSFET HS2242TRPBF Transistor à effet de champ PQFN-6-EP - Product Image 3

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P-MOSFET HS2242TRPBF Transistor à effet de champ PQFN-6-EP - Product Image 6

P-MOSFET HS2242TRPBF Transistor à effet de champ PQFN-6-EP

0,1352-0,2433 €

quantité minimum: 1 unité

HONGKONG SMARE TRADING LIMITED

1 yrs

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