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Transistor puissance

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Transistor 2SC5200 2SA1943 TTA1943 TTC5200 TO 3PL, amplificateur audio 150W, transistor de puissance 230V, circuit intégré pour les fournisseurs ODM - Product Image 1
Transistor 2SC5200 2SA1943 TTA1943 TTC5200 TO 3PL, amplificateur audio 150W, transistor de puissance 230V, circuit intégré pour les fournisseurs ODM - Product Image 2
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Transistor 2SC5200 2SA1943 TTA1943 TTC5200 TO 3PL, amplificateur audio 150W, transistor de puissance 230V, circuit intégré pour les fournisseurs ODM

0,135 €
quantité minimum: 1 pièce
Meratech Limited
1 yrsHK flagHK
Transistor de puissance neuf et original 2SC5198 TO-3P NPN - Product Image 1
Transistor de puissance neuf et original 2SC5198 TO-3P NPN - Product Image 2
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Transistor de puissance neuf et original 2SC5198 TO-3P NPN - Product Image 5
Transistor de puissance neuf et original 2SC5198 TO-3P NPN - Product Image 6

Transistor de puissance neuf et original 2SC5198 TO-3P NPN

0,4498-0,6297 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 1
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 2
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 3
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 4
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 5
Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique - Product Image 6

Transistor de puissance NPN 2SC3133 TO-220 Composant électronique

10,80-16,20 €
quantité minimum: 1 pièce
GYU TRADING CO LLC
1 yrsUS flagUS
Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours - Product Image 1
Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours - Product Image 2
Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours - Product Image 3
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Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours - Product Image 5
Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours - Product Image 6

Transistor de puissance N+P à canaux complémentaires NCE4688 HKST Brand 4688, MOSFET SOP-8 60V, délai de livraison de 1 à 3 jours

0,099-0,18 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(30)
TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP FQPF19N10, 1 puce IC originale neuve en stock - Product Image 1
TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP FQPF19N10, 1 puce IC originale neuve en stock - Product Image 2
TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP FQPF19N10, 1 puce IC originale neuve en stock - Product Image 3
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TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP FQPF19N10, 1 puce IC originale neuve en stock - Product Image 6

TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP FQPF19N10, 1 puce IC originale neuve en stock

0,18-0,8996 €
quantité minimum: 10 pièces
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 1
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 2
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 3
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 4
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 5
Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V - Product Image 6

Module semi-conducteur de puissance à transistor bipolaire à porte isolée de haute puissance BSM50GP120 BSM50GP12 50A 1200V

34,19-80,06 €
quantité minimum: 1 pièce
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(581)
Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance - Product Image 1
Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance - Product Image 2
Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance - Product Image 3
Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance - Product Image 4
Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance - Product Image 5

Transistor MOSFET à montage en surface HT HY3203 HY3203C2, boîtier PPAK-8L(5x6), 60V/25A, pour circuits de commutation de puissance

0,072-0,09 €
quantité minimum: 1 pièce
Hongte Technology Limited
1 yrsHK flagHK
Tube à effet de champ à haute puissance Jeking LSB65 650V 40A, transistor LSB65R099GF - Product Image 1
Tube à effet de champ à haute puissance Jeking LSB65 650V 40A, transistor LSB65R099GF - Product Image 2
Tube à effet de champ à haute puissance Jeking LSB65 650V 40A, transistor LSB65R099GF - Product Image 3
Tube à effet de champ à haute puissance Jeking LSB65 650V 40A, transistor LSB65R099GF - Product Image 4

Tube à effet de champ à haute puissance Jeking LSB65 650V 40A, transistor LSB65R099GF

5,94-7,88 €
quantité minimum: 10 pièces
Jeking Electronic Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)

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